• Sections
  • H - Électricité
  • H10D - Dispositifs électriques à semi-conducteurs inorganiques
  • H10D 84/83 - Dispositifs intégrés formés dans ou sur des substrats semi-conducteurs qui comprennent uniquement des couches semi-conductrices, p. ex. sur des plaquettes de Si ou sur des plaquettes de GaAs-sur-Si caractérisés par l'intégration d'au moins un composant couvert par les groupes ou , p. ex. l'intégration de transistors IGFET de composants à effet de champ uniquement de transistors FET à grille isolée [IGFET] uniquement

Détention brevets de la classe H10D 84/83

Brevets de cette classe: 1512

Historique des publications depuis 10 ans

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249
225
594
311
2017 2018 2019 2020 2021 2022 2023 2024 2025 2026

Propriétaires principaux

Proprétaire
Total
Cette classe
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.
47675
653
Samsung Electronics Co., Ltd.
154987
200
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
11718
120
Intel Corporation
46726
89
International Business Machines Corporation
62309
74
Rohm Co., Ltd.
6778
16
Sony Semiconductor Solutions Corporation
11328
15
United Microelectronics Corp.
4459
13
Semiconductor Components Industries, L.L.C.
5279
13
Qualcomm Incorporated
90781
12
Texas Instruments Incorporated
19637
11
Socionext Inc.
1593
11
Apple Inc.
58244
10
IBM United Kingdom Limited
4095
10
Adeia Semiconductor Solutions LLC
760
10
Micron Technology, Inc.
27370
9
Applied Materials, Inc.
20135
8
Renesas Electronics Corporation
5862
7
Infineon Technologies Austria AG
2302
7
Tokyo Electron Limited
13602
7
Autres propriétaires 217