Classification CIB

Code de classe (préfixe) Descriptions Nombre de résultats
H10D 1/00 Résistances, Condensateurs, Inducteurs
H10D 1/20 Inducteurs
H10D 1/40 Résistances
H10D 1/43 Résistances à jonctions PN
H10D 1/47 Résistances n’ayant pas de barrières de potentiel
H10D 1/60 Condensateurs
H10D 1/62 Condensateurs ayant des barrières de potentiel
H10D 1/64 Diodes à capacité variable, p. ex. varactors
H10D 1/66 Condensateurs à conducteur-isolant-semi-conducteur, p. ex. condensateurs MOS
H10D 1/68 Condensateurs n’ayant pas de barrières de potentiel
H10D 8/00 Diodes
H10D 8/01 Fabrication ou traitement
H10D 8/20 Diodes à rupture, p. ex. diodes à avalanche
H10D 8/25 Diodes Zener
H10D 8/30 Diodes à contact à pointe
H10D 8/40 Diodes à temps de transit, p. ex. diodes IMPATT ou TRAPATT
H10D 8/50 Diodes PIN
H10D 8/60 Diodes à barrière de Schottky
H10D 8/70 Diodes à effet tunnel
H10D 8/75 Diodes PN à effet tunnel, p. ex. diodes Esaki
H10D 8/80 Diodes PNPN, p. ex. diodes Shockley ou diodes à retournement
H10D 10/00 Transistors bipolaires à jonction [BJT]
H10D 10/01 Fabrication ou traitement
H10D 10/40 Transistors BJT verticaux
H10D 10/60 Transistors BJT latéraux
H10D 10/80 Transistors BJT à hétérojonction
H10D 12/00 Dispositifs bipolaires contrôlés par effet de champ, p. ex. transistors bipolaires à grille isolée [IGBT]
H10D 12/01 Fabrication ou traitement
H10D 18/00 Thyristors
H10D 18/01 Fabrication ou traitement
H10D 18/40 Thyristors amorcés par effet de champ
H10D 18/60 Dispositifs désamorçables par la gâchette
H10D 18/65 Dispositifs désamorçables par la gâchette avec désamorçage par effet de champ
H10D 18/80 Dispositifs bidirectionnels, p. ex. triacs
H10D 30/00 Transistors à effet de champ [FET]
H10D 30/01 Fabrication ou traitement
H10D 30/40 Transistors FET ayant des canaux à gaz de porteurs de charge de dimension nulle [0D], à une dimension [1D] ou à deux dimensions [2D]
H10D 30/43 Transistors FET ayant des canaux à gaz de porteurs de charge de dimension nulle [0D], à une dimension [1D] ou à deux dimensions [2D] ayant des canaux à gaz de porteurs de charge à une dimension, p. ex. transistors FET à fil quantique ou transistors ayant des canaux à confinement quantique à une dimension
H10D 30/47 Transistors FET ayant des canaux à gaz de porteurs de charge de dimension nulle [0D], à une dimension [1D] ou à deux dimensions [2D] ayant des canaux à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p. ex. transistors FET à nanoruban ou transistors à haute mobilité électronique [HEMT]
H10D 30/60 Transistors à effet de champ à grille isolée [IGFET]
H10D 30/62 Transistors à effet de champ à ailettes [FinFET]
H10D 30/63 Transistors IGFET verticaux
H10D 30/64 Transistors FET à semi-conducteurs à oxyde métallique à double diffusion [DMOS]
H10D 30/65 Transistors FET DMOS latéraux [LDMOS]
H10D 30/66 Transistors FET DMOS verticaux [VDMOS]
H10D 30/67 Transistors à couche mince [TFT]
H10D 30/68 Transistors IGFET à grille flottante
H10D 30/69 Transistors IGFET ayant des isolateurs de grille à piégeage de charges, p. ex. transistors MNOS
H10D 30/80 Transistors FET ayant des électrodes de grille à jonction de redressement
H10D 30/83 Transistors FET avec des électrodes de grille à jonction PN
H10D 30/87 Transistors FET avec électrodes de grille Schottky, p. ex. transistors FET à métal semiconducteur [MESFET]
H10D 44/00 Dispositifs à transfert de charges
H10D 44/01 Fabrication ou traitement
H10D 44/40 Dispositifs à couplage de charge [CCD]
H10D 44/45 Dispositifs à couplage de charge [CCD] ayant un effet de champ produit par des électrodes de grille isolées
H10D 48/00 Dispositifs individuels non couverts par les groupes
H10D 48/01 Fabrication ou traitement
H10D 48/04 Fabrication ou traitement de dispositifs ayant des corps comprenant du sélénium ou du tellure sous forme non combinée
H10D 48/07 Fabrication ou traitement de dispositifs ayant des corps comprenant de l'oxyde de cuivre [Cu2O] ou de l'iodure de cuivre [CuI]
H10D 48/30 Dispositifs commandés par des courants ou des tensions électriques
H10D 48/32 Dispositifs commandés uniquement par le courant électrique fourni, ou uniquement par la tension électrique appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
H10D 48/34 Dispositifs bipolaires
H10D 48/36 Dispositifs unipolaires
H10D 48/38 Dispositifs commandés uniquement par la variation du courant électrique fourni, ou uniquement par la tension électrique appliquée, à l’une ou à plusieurs des électrodes parcourues par le courant à redresser, à amplifier, à osciller ou à commuter
H10D 48/40 Dispositifs commandés par des champs magnétiques
H10D 48/042 Préparation des plaques de support
H10D 48/043 Traitement préliminaire du sélénium ou du tellure, son application sur les plaques de support ou traitement ultérieur de la combinaison
H10D 48/044 Conversion du sélénium ou du tellure à l'état conducteur
H10D 48/045 Traitement de la surface de la couche de sélénium ou de tellure après conversion à l’état conducteur
H10D 48/046 Production de couches isolantes discrètes
H10D 48/047 Application d'une électrode à la surface libre du sélénium ou du tellure après l’apposition du sélénium ou du tellure aux plaques de support
H10D 48/048 Traitement du dispositif complet, p. ex. par électroformage pour former une barrière
H10D 48/049 Vieillissement
H10D 48/50 Dispositifs commandés par des forces mécaniques, p. ex. la pression
H10D 62/00 Corps semi-conducteurs, ou régions de ceux-ci, de dispositifs ayant des barrières de potentiel
H10D 62/10 Formes, dimensions relatives ou dispositions des régions des corps semi-conducteursFormes des corps semi-conducteurs
H10D 62/13 Régions semi-conductrices connectées à des électrodes transportant le courant à redresser, amplifier ou commuter, p. ex. régions de source ou de drain
H10D 62/17 Régions semi-conductrices connectées à des électrodes ne transportant pas de courant à redresser, amplifier ou commuter, p. ex. régions de canal
H10D 62/40 Structures cristallines
H10D 62/50 Défectuosités physiques
H10D 62/53 Défectuosités physiques les défectuosités étant à l'intérieur du corps semi-conducteur
H10D 62/57 Défectuosités physiques les défectuosités étant sur la surface du corps semi-conducteur, p. ex. le corps ayant une surface rugueuse
H10D 62/60 Distribution ou concentrations d’impuretés
H10D 62/80 Corps semi-conducteurs, ou régions de ceux-ci, de dispositifs ayant des barrières de potentiel caractérisés par les matériaux
H10D 62/81 Corps semi-conducteurs, ou régions de ceux-ci, de dispositifs ayant des barrières de potentiel caractérisés par les matériaux de structures présentant des effets de confinement quantique, p. ex. des puits quantiques uniquesCorps semi-conducteurs, ou régions de ceux-ci, de dispositifs ayant des barrières de potentiel caractérisés par les matériaux de structures présentant une variation de potentiel périodique ou quasi-périodique
H10D 62/82 Hétérojonctions
H10D 62/83 Corps semi-conducteurs, ou régions de ceux-ci, de dispositifs ayant des barrières de potentiel caractérisés par les matériaux étant des matériaux du groupe IV, p. ex. Si dopé B ou Ge non dopé
H10D 62/84 Corps semi-conducteurs, ou régions de ceux-ci, de dispositifs ayant des barrières de potentiel caractérisés par les matériaux étant uniquement du sélénium ou du tellure
H10D 62/85 Corps semi-conducteurs, ou régions de ceux-ci, de dispositifs ayant des barrières de potentiel caractérisés par les matériaux étant des matériaux du groupe III-V, p. ex. GaAs
H10D 62/86 Corps semi-conducteurs, ou régions de ceux-ci, de dispositifs ayant des barrières de potentiel caractérisés par les matériaux étant des matériaux du groupe II-VI, p. ex. ZnO
H10D 62/815 Corps semi-conducteurs, ou régions de ceux-ci, de dispositifs ayant des barrières de potentiel caractérisés par les matériaux de structures présentant des effets de confinement quantique, p. ex. des puits quantiques uniquesCorps semi-conducteurs, ou régions de ceux-ci, de dispositifs ayant des barrières de potentiel caractérisés par les matériaux de structures présentant une variation de potentiel périodique ou quasi-périodique de structures présentant une variation périodique ou quasi-périodique de potentiel, p. ex. super-réseaux ou puits quantiques multiples [MQW]
H10D 62/822 Hétérojonctions comprenant uniquement des hétérojonctions de matériaux du groupe IV, p. ex. des hétérojonctions Si/Ge
H10D 62/824 Hétérojonctions comprenant uniquement des hétérojonctions de matériaux du groupe III-V, p. ex. des hétérojonctions GaN/AlGaN
H10D 62/826 Hétérojonctions comprenant uniquement des hétérojonctions de matériaux du groupe II-VI, p. ex. des hétérojonctions CdTe/HgTe
H10D 62/832 Corps semi-conducteurs, ou régions de ceux-ci, de dispositifs ayant des barrières de potentiel caractérisés par les matériaux étant des matériaux du groupe IV, p. ex. Si dopé B ou Ge non dopé étant des matériaux du groupe IV comprenant deux éléments ou plus, p. ex. SiGe
H10D 62/834 Corps semi-conducteurs, ou régions de ceux-ci, de dispositifs ayant des barrières de potentiel caractérisés par les matériaux étant des matériaux du groupe IV, p. ex. Si dopé B ou Ge non dopé caractérisés en outre par les dopants
H10D 62/852 Corps semi-conducteurs, ou régions de ceux-ci, de dispositifs ayant des barrières de potentiel caractérisés par les matériaux étant des matériaux du groupe III-V, p. ex. GaAs étant des matériaux du groupe III-V comprenant trois éléments ou plus, p. ex. AlGaN ou InAsSbP
H10D 62/854 Corps semi-conducteurs, ou régions de ceux-ci, de dispositifs ayant des barrières de potentiel caractérisés par les matériaux étant des matériaux du groupe III-V, p. ex. GaAs caractérisés en outre par les dopants
H10D 62/862 Corps semi-conducteurs, ou régions de ceux-ci, de dispositifs ayant des barrières de potentiel caractérisés par les matériaux étant des matériaux du groupe II-VI, p. ex. ZnO étant des matériaux du groupe II-VI comprenant trois éléments ou plus, p. ex. CdZnTe
H10D 62/864 Corps semi-conducteurs, ou régions de ceux-ci, de dispositifs ayant des barrières de potentiel caractérisés par les matériaux étant des matériaux du groupe II-VI, p. ex. ZnO caractérisés en outre par les dopants
H10D 64/00 Électrodes de dispositifs ayant des barrières de potentiel
H10D 64/01 Fabrication ou traitement
H10D 64/20 Électrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition
H10D 64/23 Électrodes transportant le courant à redresser, à amplifier, à faire osciller ou à commuter, p. ex. sources, drains, anodes ou cathodes
H10D 64/27 Électrodes ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier, à faire osciller ou à commuter, p. ex. grilles
H10D 64/60 Électrodes caractérisées par leurs matériaux
H10D 64/62 Électrodes couplées de manière ohmique à un semi-conducteur
H10D 64/64 Électrodes comprenant une barrière de Schottky à un semi-conducteur
H10D 64/66 Électrodes ayant un conducteur couplé capacitivement à un semi-conducteur par un isolant, p. ex. électrodes du type métal-isolant-semi-conducteur [MIS]
H10D 64/68 Électrodes ayant un conducteur couplé capacitivement à un semi-conducteur par un isolant, p. ex. électrodes du type métal-isolant-semi-conducteur [MIS] caractérisées par l’isolant, p. ex. par l’isolant de grille
H10D 80/00 Ensembles de plusieurs dispositifs comprenant au moins un dispositif couvert par la présente sous-classe
H10D 80/20 Ensembles de plusieurs dispositifs comprenant au moins un dispositif couvert par la présente sous-classe l’au moins un dispositif étant couvert par les groupes , p. ex des ensembles comprenant des condensateurs, des transistors FET de puissance ou des diodes Schottky
H10D 80/30 Ensembles de plusieurs dispositifs comprenant au moins un dispositif couvert par la présente sous-classe l’au moins un dispositif étant couvert par les groupes , p. ex. des ensembles comprenant des puces de processeur à circuit intégré
H10D 84/00 Dispositifs intégrés formés dans ou sur des substrats semi-conducteurs qui comprennent uniquement des couches semi-conductrices, p. ex. sur des plaquettes de Si ou sur des plaquettes de GaAs-sur-Si
H10D 84/01 Fabrication ou traitement
H10D 84/02 Fabrication ou traitement caractérisés par l'utilisation de technologies basées sur les matériaux
H10D 84/03 Fabrication ou traitement caractérisés par l'utilisation de technologies basées sur les matériaux utilisant une technologie du groupe IV, p. ex. technologie au silicium ou au carbure de silicium [SiC]
H10D 84/05 Fabrication ou traitement caractérisés par l'utilisation de technologies basées sur les matériaux utilisant une technologie du groupe III-V
H10D 84/07 Fabrication ou traitement caractérisés par l'utilisation de technologies basées sur les matériaux utilisant une technologie du groupe II-VI
H10D 84/08 Fabrication ou traitement caractérisés par l'utilisation de technologies basées sur les matériaux utilisant des combinaisons de technologies, p. ex. utilisant à la fois des technologies du silicium et du carbure de silicium ou à la fois des technologies du silicium et du groupe III-V
H10D 84/40 Dispositifs intégrés formés dans ou sur des substrats semi-conducteurs qui comprennent uniquement des couches semi-conductrices, p. ex. sur des plaquettes de Si ou sur des plaquettes de GaAs-sur-Si caractérisés par l'intégration d'au moins un composant couvert par les groupes ou avec au moins un composant couvert par les groupes ou , p. ex. l'intégration de transistors IGFET avec des transistors BJT
H10D 84/60 Dispositifs intégrés formés dans ou sur des substrats semi-conducteurs qui comprennent uniquement des couches semi-conductrices, p. ex. sur des plaquettes de Si ou sur des plaquettes de GaAs-sur-Si caractérisés par l'intégration d'au moins un composant couvert par les groupes ou , p. ex. l'intégration de transistors BJT
H10D 84/63 Combinaisons de transistors BJT verticaux et latéraux
H10D 84/65 Logique d'injection intégrée
H10D 84/67 Transistors BJT complémentaires
H10D 84/80 Dispositifs intégrés formés dans ou sur des substrats semi-conducteurs qui comprennent uniquement des couches semi-conductrices, p. ex. sur des plaquettes de Si ou sur des plaquettes de GaAs-sur-Si caractérisés par l'intégration d'au moins un composant couvert par les groupes ou , p. ex. l'intégration de transistors IGFET
H10D 84/82 Dispositifs intégrés formés dans ou sur des substrats semi-conducteurs qui comprennent uniquement des couches semi-conductrices, p. ex. sur des plaquettes de Si ou sur des plaquettes de GaAs-sur-Si caractérisés par l'intégration d'au moins un composant couvert par les groupes ou , p. ex. l'intégration de transistors IGFET de composants à effet de champ uniquement
H10D 84/83 Dispositifs intégrés formés dans ou sur des substrats semi-conducteurs qui comprennent uniquement des couches semi-conductrices, p. ex. sur des plaquettes de Si ou sur des plaquettes de GaAs-sur-Si caractérisés par l'intégration d'au moins un composant couvert par les groupes ou , p. ex. l'intégration de transistors IGFET de composants à effet de champ uniquement de transistors FET à grille isolée [IGFET] uniquement
H10D 84/84 Combinaison de transistors IGFET à mode d’enrichissement et de transistors IGFET à mode d’appauvrissement
H10D 84/85 Transistors IGFET complémentaires, p. ex. CMOS
H10D 84/86 Dispositifs intégrés formés dans ou sur des substrats semi-conducteurs qui comprennent uniquement des couches semi-conductrices, p. ex. sur des plaquettes de Si ou sur des plaquettes de GaAs-sur-Si caractérisés par l'intégration d'au moins un composant couvert par les groupes ou , p. ex. l'intégration de transistors IGFET de transistors FET à barrière de Schottky
H10D 84/87 Dispositifs intégrés formés dans ou sur des substrats semi-conducteurs qui comprennent uniquement des couches semi-conductrices, p. ex. sur des plaquettes de Si ou sur des plaquettes de GaAs-sur-Si caractérisés par l'intégration d'au moins un composant couvert par les groupes ou , p. ex. l'intégration de transistors IGFET de transistors FET à grille à jonction PN
H10D 84/90 Circuits intégrés à tranches maîtresses
H10D 86/00 Dispositifs intégrés formés dans ou sur des substrats isolants ou conducteurs, p. ex. formés dans des substrats de silicium sur isolant [SOI] ou sur des substrats en acier inoxydable ou en verre
H10D 86/01 Fabrication ou traitement
H10D 86/03 Fabrication ou traitement le substrat comprenant du saphir, p. ex. silicium sur saphir [SOS]
H10D 86/40 Dispositifs intégrés formés dans ou sur des substrats isolants ou conducteurs, p. ex. formés dans des substrats de silicium sur isolant [SOI] ou sur des substrats en acier inoxydable ou en verre caractérisés par de multiples transistors en couches minces [TFT]
H10D 86/60 Dispositifs intégrés formés dans ou sur des substrats isolants ou conducteurs, p. ex. formés dans des substrats de silicium sur isolant [SOI] ou sur des substrats en acier inoxydable ou en verre caractérisés par de multiples transistors en couches minces [TFT] les transistors TFT étant dans des matrices actives
H10D 86/80 Dispositifs intégrés formés dans ou sur des substrats isolants ou conducteurs, p. ex. formés dans des substrats de silicium sur isolant [SOI] ou sur des substrats en acier inoxydable ou en verre caractérisés par de multiples composants passifs, p. ex. des résistances, des condensateurs ou des inducteurs
H10D 86/85 Dispositifs intégrés formés dans ou sur des substrats isolants ou conducteurs, p. ex. formés dans des substrats de silicium sur isolant [SOI] ou sur des substrats en acier inoxydable ou en verre caractérisés par de multiples composants passifs, p. ex. des résistances, des condensateurs ou des inducteurs caractérisés par des composants passifs uniquement
H10D 87/00 Dispositifs intégrés comprenant à la fois des composants en vrac et des composants SOI ou SOS sur le même substrat
H10D 88/00 Dispositifs intégrés tridimensionnels [3D]
H10D 89/00 Aspects des dispositifs intégrés non couverts par les groupes
H10D 89/10 Schémas de dispositifs intégrés
H10D 89/60 Dispositifs intégrés comprenant des dispositions pour la protection électrique ou thermique, p. ex. circuits de protection contre les décharges électrostatiques [ESD].
H10D 99/00 Matière non prévue dans les autres groupes de la présente sous-classe