• Sections
  • H - Électricité
  • H10D - Dispositifs électriques à semi-conducteurs inorganiques
  • H10D 84/40 - Dispositifs intégrés formés dans ou sur des substrats semi-conducteurs qui comprennent uniquement des couches semi-conductrices, p. ex. sur des plaquettes de Si ou sur des plaquettes de GaAs-sur-Si caractérisés par l'intégration d'au moins un composant couvert par les groupes ou avec au moins un composant couvert par les groupes ou , p. ex. l'intégration de transistors IGFET avec des transistors BJT

Détention brevets de la classe H10D 84/40

Brevets de cette classe: 41

Historique des publications depuis 10 ans

0
0
0
0
1
0
5
5
5
17
2016 2017 2018 2019 2020 2021 2022 2023 2024 2025

Propriétaires principaux

Proprétaire
Total
Cette classe
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.
42704
5
Fuji Electric Co., Ltd.
5140
3
Samsung Electronics Co., Ltd.
146092
2
Texas Instruments Incorporated
19470
2
Tokyo Electron Limited
12712
2
Advanced Micro Devices, Inc.
5691
2
Rohm Co., Ltd.
6450
2
Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc
743
2
Analog Devices International Unlimited Company
1905
2
Qualcomm Incorporated
85322
1
Toshiba Corporation
12336
1
Intel Corporation
46962
1
Micron Technology, Inc.
26262
1
Mitsubishi Electric Corporation
46093
1
STMicroelectronics S.r.l.
3610
1
Korea Advanced Nano Fab Center
27
1
Nanya Technology Corporation
2461
1
Newport Fab, LLC
159
1
The Penn State Research Foundation
1518
1
Silergy Semiconductor Technology (Hangzhou) LTD
620
1
Autres propriétaires 8