- Sections
- H - Électricité
- H10D - Dispositifs électriques à semi-conducteurs inorganiques
- H10D 84/40 - Dispositifs intégrés formés dans ou sur des substrats semi-conducteurs qui comprennent uniquement des couches semi-conductrices, p. ex. sur des plaquettes de Si ou sur des plaquettes de GaAs-sur-Si caractérisés par l'intégration d'au moins un composant couvert par les groupes ou avec au moins un composant couvert par les groupes ou , p. ex. l'intégration de transistors IGFET avec des transistors BJT
Détention brevets de la classe H10D 84/40
Brevets de cette classe: 79
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Analog Devices International Unlimited Company | 1979 |
8 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 46224 |
7 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 149362 |
5 |
| Rohm Co., Ltd. | 6567 |
5 |
| Fuji Electric Co., Ltd. | 5277 |
4 |
| GLOBALFOUNDRIES U.S. Inc. | 6418 |
4 |
| Texas Instruments Incorporated | 19493 |
3 |
| Intel Corporation | 46487 |
2 |
| Tokyo Electron Limited | 13169 |
2 |
| Advanced Micro Devices, Inc. | 5819 |
2 |
| Siliconware Precision Industries Co., Ltd. | 628 |
2 |
| TSMC China Company Limited | 238 |
2 |
| Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc | 810 |
2 |
| Analog Power Conversion LLC | 31 |
2 |
| Qualcomm Incorporated | 87874 |
1 |
| Toshiba Corporation | 12543 |
1 |
| Micron Technology, Inc. | 26638 |
1 |
| Renesas Electronics Corporation | 5926 |
1 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11544 |
1 |
| Mitsubishi Electric Corporation | 47014 |
1 |
| Autres propriétaires | 23 |