- Sections
- H - Électricité
- H10D - Dispositifs électriques à semi-conducteurs inorganiques
- H10D 84/40 - Dispositifs intégrés formés dans ou sur des substrats semi-conducteurs qui comprennent uniquement des couches semi-conductrices, p. ex. sur des plaquettes de Si ou sur des plaquettes de GaAs-sur-Si caractérisés par l'intégration d'au moins un composant couvert par les groupes ou avec au moins un composant couvert par les groupes ou , p. ex. l'intégration de transistors IGFET avec des transistors BJT
Détention brevets de la classe H10D 84/40
Brevets de cette classe: 41
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
Proprétaire |
Total
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Cette classe
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Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 42704 |
5 |
Fuji Electric Co., Ltd. | 5140 |
3 |
Samsung Electronics Co., Ltd. | 146092 |
2 |
Texas Instruments Incorporated | 19470 |
2 |
Tokyo Electron Limited | 12712 |
2 |
Advanced Micro Devices, Inc. | 5691 |
2 |
Rohm Co., Ltd. | 6450 |
2 |
Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc | 743 |
2 |
Analog Devices International Unlimited Company | 1905 |
2 |
Qualcomm Incorporated | 85322 |
1 |
Toshiba Corporation | 12336 |
1 |
Intel Corporation | 46962 |
1 |
Micron Technology, Inc. | 26262 |
1 |
Mitsubishi Electric Corporation | 46093 |
1 |
STMicroelectronics S.r.l. | 3610 |
1 |
Korea Advanced Nano Fab Center | 27 |
1 |
Nanya Technology Corporation | 2461 |
1 |
Newport Fab, LLC | 159 |
1 |
The Penn State Research Foundation | 1518 |
1 |
Silergy Semiconductor Technology (Hangzhou) LTD | 620 |
1 |
Autres propriétaires | 8 |