• Sections
  • H - Électricité
  • H10D - Dispositifs électriques à semi-conducteurs inorganiques
  • H10D 84/40 - Dispositifs intégrés formés dans ou sur des substrats semi-conducteurs qui comprennent uniquement des couches semi-conductrices, p. ex. sur des plaquettes de Si ou sur des plaquettes de GaAs-sur-Si caractérisés par l'intégration d'au moins un composant couvert par les groupes ou avec au moins un composant couvert par les groupes ou , p. ex. l'intégration de transistors IGFET avec des transistors BJT

Détention brevets de la classe H10D 84/40

Brevets de cette classe: 79

Historique des publications depuis 10 ans

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Propriétaires principaux

Proprétaire
Total
Cette classe
Analog Devices International Unlimited Company
1979
8
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.
46224
7
Samsung Electronics Co., Ltd.
149362
5
Rohm Co., Ltd.
6567
5
Fuji Electric Co., Ltd.
5277
4
GLOBALFOUNDRIES U.S. Inc.
6418
4
Texas Instruments Incorporated
19493
3
Intel Corporation
46487
2
Tokyo Electron Limited
13169
2
Advanced Micro Devices, Inc.
5819
2
Siliconware Precision Industries Co., Ltd.
628
2
TSMC China Company Limited
238
2
Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc
810
2
Analog Power Conversion LLC
31
2
Qualcomm Incorporated
87874
1
Toshiba Corporation
12543
1
Micron Technology, Inc.
26638
1
Renesas Electronics Corporation
5926
1
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
11544
1
Mitsubishi Electric Corporation
47014
1
Autres propriétaires 23