- Sections
- G - Physique
- G03F - Production par voie photomécanique de surfaces texturées, p. ex. pour l'impression, pour le traitement de dispositifs semi-conducteursmatériaux à cet effetoriginaux à cet effetappareillages spécialement adaptés à cet effet
- G03F 1/74 - Réparation ou correction des défauts dans un masque par un faisceau de particules chargées [CPB charged particle beam], p. ex. réparation ou correction de défauts par un faisceau d'ions focalisé
Détention brevets de la classe G03F 1/74
Brevets de cette classe: 105
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
Proprétaire |
Total
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Cette classe
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Carl Zeiss SMT GmbH | 2932 |
38 |
Hoya Corporation | 2733 |
14 |
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 41951 |
11 |
Samsung Electronics Co., Ltd. | 143555 |
7 |
Hitachi High-Tech Science Corporation | 325 |
3 |
Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | 1235 |
3 |
Carl Zeiss SMS Ltd. | 47 |
3 |
D2s, Inc. | 169 |
3 |
Toppan Photomask Co., Ltd. | 42 |
3 |
Intel Corporation | 46664 |
2 |
Applied Materials, Inc. | 18344 |
2 |
V Technology Co., Ltd. | 385 |
2 |
ASML Netherlands B.V. | 7293 |
1 |
Bruker Nano, Inc. | 337 |
1 |
Carl Zeiss SMS GmbH | 53 |
1 |
IMS Nanofabrication GmbH | 59 |
1 |
KLA-Tencor Corporation | 2546 |
1 |
Semiconductor Manufacturing International (Beijing) Corporation | 1032 |
1 |
Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation | 1774 |
1 |
Ecole Polytechnique fédérale de Lausanne | 5 |
1 |
Autres propriétaires | 6 |