- Sections
- C - Chimiemétallurgie
- C23C - Revêtement de matériaux métalliquesrevêtement de matériaux avec des matériaux métalliquestraitement de surface de matériaux métalliques par diffusion dans la surface, par conversion chimique ou substitutionrevêtement par évaporation sous vide, par pulvérisation cathodique, par implantation d'ions ou par dépôt chimique en phase vapeur, en général
- C23C 16/16 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le dépôt d'un matériau métallique à partir de métaux carbonyles
Détention brevets de la classe C23C 16/16
Brevets de cette classe: 185
Historique des publications depuis 10 ans
| 14 | 9 | 15 | 11 | 9 | 12 | 11 | 19 | 12 | 8 | 
| 2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 | 2025 | 
Propriétaires principaux
| Proprétaire | Total | Cette classe | 
|---|---|---|
| Tokyo Electron Limited | 13013 | 52 | 
| Applied Materials, Inc. | 19031 | 13 | 
| Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K. | 584 | 13 | 
| Entegris, Inc. | 1903 | 12 | 
| Merck Patent GmbH | 5770 | 6 | 
| Lam Research Corporation | 5332 | 5 | 
| Adeka Corporation | 1367 | 5 | 
| Gelest, Inc. | 152 | 4 | 
| L'Air Liquide, Societe Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procedes Georges Claude | 3997 | 4 | 
| ASM IP Holding B.V. | 2125 | 3 | 
| Sigma-Aldrich Co. | 45 | 3 | 
| Tokyo Electron America, Inc. | 54 | 3 | 
| Versum Materials US, LLC | 653 | 3 | 
| Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc | 800 | 3 | 
| Public Joint Stock Company "severstal" | 12 | 3 | 
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 148173 | 2 | 
| Applied Materials Israel, Ltd. | 617 | 2 | 
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 44282 | 2 | 
| Huawei Technologies Co., Ltd. | 114620 | 2 | 
| Daikin Industries, Ltd. | 10118 | 2 | 
| Autres propriétaires | 43 |