- Sections
- H - Électricité
- H10D - Dispositifs électriques à semi-conducteurs inorganiques
- H10D 84/03 - Fabrication ou traitement caractérisés par l'utilisation de technologies basées sur les matériaux utilisant une technologie du groupe IV, p. ex. technologie au silicium ou au carbure de silicium [SiC]
Détention brevets de la classe H10D 84/03
Brevets de cette classe: 1771
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 46182 |
1184 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 149198 |
104 |
| International Business Machines Corporation | 61747 |
87 |
| Intel Corporation | 46471 |
62 |
| United Microelectronics Corp. | 4311 |
21 |
| Tokyo Electron Limited | 13155 |
19 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11537 |
18 |
| Micron Technology, Inc. | 26591 |
17 |
| Applied Materials, Inc. | 19298 |
13 |
| GLOBALFOUNDRIES U.S. Inc. | 6419 |
11 |
| Adeia Semiconductor Solutions LLC | 292 |
10 |
| National Taiwan University | 1275 |
9 |
| Texas Instruments Incorporated | 19498 |
8 |
| Kioxia Corporation | 10455 |
7 |
| TSMC Nanjing Company, Limited | 164 |
7 |
| Qualcomm Incorporated | 87720 |
6 |
| IMEC VZW | 1692 |
6 |
| Monolithic 3D Inc. | 318 |
6 |
| Nanya Technology Corporation | 2664 |
6 |
| Semiconductor Manufacturing International (Beijing) Corporation | 1034 |
6 |
| Autres propriétaires | 164 |