- Sections
- H - Électricité
- H10D - Dispositifs électriques à semi-conducteurs inorganiques
- H10D 30/43 - Transistors FET ayant des canaux à gaz de porteurs de charge de dimension nulle [0D], à une dimension [1D] ou à deux dimensions [2D] ayant des canaux à gaz de porteurs de charge à une dimension, p. ex. transistors FET à fil quantique ou transistors ayant des canaux à confinement quantique à une dimension
Détention brevets de la classe H10D 30/43
Brevets de cette classe: 164
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 43628 |
47 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 147787 |
33 |
| International Business Machines Corporation | 61537 |
21 |
| Intel Corporation | 47221 |
6 |
| IBM United Kingdom Limited | 4305 |
6 |
| Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences | 1392 |
5 |
| Qualcomm Incorporated | 86648 |
4 |
| Socionext Inc. | 1561 |
4 |
| IMEC VZW | 1666 |
4 |
| Adeia Semiconductor Solutions LLC | 292 |
4 |
| National Taiwan University | 1239 |
3 |
| Tokyo Electron Limited | 12979 |
2 |
| Micron Technology, Inc. | 26235 |
1 |
| Applied Materials, Inc. | 18932 |
1 |
| Electronics and Telecommunications Research Institute | 9444 |
1 |
| Huawei Technologies Co., Ltd. | 114071 |
1 |
| Commissariat à l'énergie atomique et aux energies alternatives | 10949 |
1 |
| Georgia Tech Research Corporation | 2767 |
1 |
| Korea Institute of Science and Technology | 2145 |
1 |
| Korea Advanced Institute of Science and Technology | 4408 |
1 |
| Autres propriétaires | 17 |