- Sections
- H - Électricité
- H10B - Dispositifs de mémoire électronique
- H10B 41/27 - Dispositifs de mémoire morte reprogrammable électriquement [EEPROM] comprenant des grilles flottantes caractérisés par les agencements tridimensionnels, p. ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur la région de source et la région de drain étant à différents niveaux, p. ex. avec des canaux inclinés les canaux comprenant des parties verticales, p. ex. des canaux en forme de U
Détention brevets de la classe H10B 41/27
Brevets de cette classe: 2162
Historique des publications depuis 10 ans
0
|
0
|
0
|
0
|
15
|
166
|
564
|
443
|
701
|
279
|
2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 | 2025 |
Propriétaires principaux
Proprétaire |
Total
|
Cette classe
|
---|---|---|
Samsung Electronics Co., Ltd. | 144426 |
493 |
Micron Technology, Inc. | 26214 |
333 |
SK Hynix Inc. | 11253 |
276 |
Kioxia Corporation | 10282 |
239 |
Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 2587 |
207 |
Sandisk Technologies Inc. | 4804 |
188 |
Lodestar Licensing Group LLC | 993 |
87 |
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 42222 |
47 |
Macronix International Co., Ltd. | 2565 |
39 |
Applied Materials, Inc. | 18433 |
34 |
JPMorgan Chase Bank, N.A., AS The Agent | 2441 |
28 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11371 |
19 |
Lam Research Corporation | 5207 |
18 |
Sandisk Technologies LLC | 1431 |
14 |
Tokyo Electron Limited | 12571 |
12 |
Intel NDTM US LLC | 420 |
12 |
IUCF-HYU (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University) | 1361 |
8 |
Monolithic 3D Inc. | 308 |
8 |
Western Digital Technologies, Inc. | 1773 |
6 |
Winbond Electronics Corp. | 1268 |
6 |
Autres propriétaires | 88 |