• Sections
  • H - Électricité
  • H10B - Dispositifs de mémoire électronique
  • H10B 41/27 - Dispositifs de mémoire morte reprogrammable électriquement [EEPROM] comprenant des grilles flottantes caractérisés par les agencements tridimensionnels, p. ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur la région de source et la région de drain étant à différents niveaux, p. ex. avec des canaux inclinés les canaux comprenant des parties verticales, p. ex. des canaux en forme de U

Détention brevets de la classe H10B 41/27

Brevets de cette classe: 2162

Historique des publications depuis 10 ans

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166
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443
701
279
2016 2017 2018 2019 2020 2021 2022 2023 2024 2025

Propriétaires principaux

Proprétaire
Total
Cette classe
Samsung Electronics Co., Ltd.
144426
493
Micron Technology, Inc.
26214
333
SK Hynix Inc.
11253
276
Kioxia Corporation
10282
239
Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
2587
207
Sandisk Technologies Inc.
4804
188
Lodestar Licensing Group LLC
993
87
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.
42222
47
Macronix International Co., Ltd.
2565
39
Applied Materials, Inc.
18433
34
JPMorgan Chase Bank, N.A., AS The Agent
2441
28
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
11371
19
Lam Research Corporation
5207
18
Sandisk Technologies LLC
1431
14
Tokyo Electron Limited
12571
12
Intel NDTM US LLC
420
12
IUCF-HYU (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University)
1361
8
Monolithic 3D Inc.
308
8
Western Digital Technologies, Inc.
1773
6
Winbond Electronics Corp.
1268
6
Autres propriétaires 88