- Sections
- H - Électricité
- H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
- H01L 27/11578 - Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs avec isolateurs de grille à piégeage de charge, p.ex. MNOS ou NROM caractérisées par des agencements tridimensionnels, p.ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur
Détention brevets de la classe H01L 27/11578
Brevets de cette classe: 787
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Kioxia Corporation | 10440 |
140 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 2831 |
138 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 148173 |
105 |
| Micron Technology, Inc. | 26317 |
84 |
| Monolithic 3D Inc. | 312 |
59 |
| Sandisk Technologies Inc. | 4892 |
43 |
| Sandisk Technologies LLC | 1445 |
43 |
| SK Hynix Inc. | 11558 |
32 |
| Macronix International Co., Ltd. | 2549 |
23 |
| Applied Materials, Inc. | 19031 |
13 |
| Sunrise Memory Corporation | 212 |
13 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 44282 |
11 |
| Lam Research Corporation | 5332 |
8 |
| Tokyo Electron Limited | 13013 |
6 |
| International Business Machines Corporation | 61621 |
5 |
| Intel NDTM US LLC | 449 |
5 |
| United Microelectronics Corp. | 4267 |
4 |
| Toshiba Memory Corporation | 236 |
4 |
| Longitude Flash Memory Solutions Ltd. | 269 |
4 |
| Lodestar Licensing Group LLC | 1072 |
4 |
| Autres propriétaires | 43 |