- Sections
- H - Électricité
- H10D - Dispositifs électriques à semi-conducteurs inorganiques
- H10D 62/834 - Corps semi-conducteurs, ou régions de ceux-ci, de dispositifs ayant des barrières de potentiel caractérisés par les matériaux étant des matériaux du groupe IV, p. ex. Si dopé B ou Ge non dopé caractérisés en outre par les dopants
Détention brevets de la classe H10D 62/834
Brevets de cette classe: 44
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 43015 |
12 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 147003 |
3 |
| Intel Corporation | 47051 |
3 |
| ASM IP Holding B.V. | 2092 |
3 |
| The Government of the United States of America, as represented by the Secretary of the Navy | 1307 |
2 |
| Nexperia B.V. | 432 |
2 |
| Toshiba Corporation | 12376 |
1 |
| Applied Materials, Inc. | 18759 |
1 |
| Semiconductor Components Industries, L.L.C. | 5259 |
1 |
| Wisconsin Alumni Research Foundation | 3889 |
1 |
| Carnegie Mellon University | 1535 |
1 |
| The Curators of the University of Missouri | 1049 |
1 |
| HRL Laboratories, LLC | 1603 |
1 |
| IMEC VZW | 1648 |
1 |
| Monolithic 3D Inc. | 308 |
1 |
| STMicroelectronics International N.V. | 3223 |
1 |
| Sumco Corporation | 1114 |
1 |
| Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation | 1989 |
1 |
| REC Solar Norway AS | 12 |
1 |
| Taiwan Semicoductor Manufacturing Co., Ltd. | 4 |
1 |
| Autres propriétaires | 5 |