- Sections
- H - Électricité
- H10B - Dispositifs de mémoire électronique
- H10B 51/10 - Dispositifs de RAM ferro-électrique [FeRAM] comprenant des transistors ferro-électriques de mémoire caractérisés par la configuration vue du dessus
Détention brevets de la classe H10B 51/10
Brevets de cette classe: 247
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 42222 |
132 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 144426 |
39 |
| Sandisk Technologies Inc. | 4804 |
11 |
| Micron Technology, Inc. | 26214 |
10 |
| SK Hynix Inc. | 11253 |
9 |
| Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences | 1374 |
5 |
| Sunrise Memory Corporation | 209 |
5 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 2587 |
5 |
| Kioxia Corporation | 10282 |
4 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11371 |
3 |
| IUCF-HYU (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University) | 1361 |
3 |
| Intel Corporation | 46751 |
2 |
| Renesas Electronics Corporation | 6054 |
2 |
| Sandisk Technologies LLC | 1431 |
2 |
| Tokyo Electron Limited | 12571 |
1 |
| Huawei Technologies Co., Ltd. | 111237 |
1 |
| Macronix International Co., Ltd. | 2565 |
1 |
| Lam Research Corporation | 5207 |
1 |
| Korea Advanced Institute of Science and Technology | 4346 |
1 |
| IMEC VZW | 1610 |
1 |
| Autres propriétaires | 9 |