- Sections
- H - Électricité
- H10B - Dispositifs de mémoire électronique
- H10B 43/10 - Dispositifs EEPROM avec des isolants de grille à piégeage de charge caractérisés par la configuration vue du dessus
Détention brevets de la classe H10B 43/10
Brevets de cette classe: 1494
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 146534 |
354 |
| Kioxia Corporation | 10301 |
250 |
| SK Hynix Inc. | 11380 |
181 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 2642 |
150 |
| Micron Technology, Inc. | 26256 |
142 |
| Sandisk Technologies Inc. | 4815 |
139 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 42863 |
43 |
| Macronix International Co., Ltd. | 2558 |
43 |
| Lodestar Licensing Group LLC | 1020 |
41 |
| Sandisk Technologies LLC | 1437 |
20 |
| JPMorgan Chase Bank, N.A., AS The Agent | 2556 |
19 |
| Sunrise Memory Corporation | 213 |
18 |
| Monolithic 3D Inc. | 308 |
13 |
| Applied Materials, Inc. | 18706 |
11 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11416 |
8 |
| Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences | 1383 |
6 |
| IUCF-HYU (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University) | 1398 |
6 |
| Western Digital Technologies, Inc. | 1737 |
4 |
| eMemory Technology Inc. | 390 |
4 |
| Winbond Electronics Corp. | 1274 |
4 |
| Autres propriétaires | 38 |