- Sections
- H - Électricité
- H10B - Dispositifs de mémoire électronique
- H10B 41/42 - Fabrication simultanée de périphérie et de cellules de mémoire
Détention brevets de la classe H10B 41/42
Brevets de cette classe: 61
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 42804 |
16 |
| Winbond Electronics Corp. | 1275 |
8 |
| Silicon Storage Technology, Inc. | 701 |
7 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 146346 |
3 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 2641 |
3 |
| Kioxia Corporation | 10293 |
3 |
| Kepler Computing Inc. | 304 |
3 |
| Huawei Technologies Co., Ltd. | 112690 |
2 |
| United Microelectronics Corp. | 4229 |
2 |
| STMicroelectronics (Rousset) SAS | 949 |
2 |
| Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | 197 |
2 |
| Changxin Memory Technologies, Inc. | 4926 |
2 |
| Texas Instruments Incorporated | 19460 |
1 |
| Renesas Electronics Corporation | 6009 |
1 |
| SK Hynix Inc. | 11368 |
1 |
| eMemory Technology Inc. | 390 |
1 |
| Nanya Technology Corporation | 2468 |
1 |
| Zeno Semiconductor, Inc. | 250 |
1 |
| Powerchip Semiconductor Manufacturing Corporation | 385 |
1 |
| SK Keyfoundry Inc. | 245 |
1 |
| Autres propriétaires | 0 |