- Sections
- H - Électricité
- H10B - Dispositifs de mémoire électronique
- H10B 41/35 - Dispositifs de mémoire morte reprogrammable électriquement [EEPROM] comprenant des grilles flottantes caractérisés par la région noyau de mémoire avec un transistor de sélection de cellules, p. ex. NON-ET
Détention brevets de la classe H10B 41/35
Brevets de cette classe: 1410
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 149198 |
290 |
| Micron Technology, Inc. | 26591 |
214 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 2967 |
151 |
| Kioxia Corporation | 10455 |
146 |
| Sandisk Technologies Inc. | 5034 |
127 |
| SK Hynix Inc. | 11690 |
86 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 46182 |
66 |
| Lodestar Licensing Group LLC | 1108 |
64 |
| Macronix International Co., Ltd. | 2535 |
25 |
| Applied Materials, Inc. | 19298 |
22 |
| JPMorgan Chase Bank, N.A., AS The Agent | 2628 |
21 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11537 |
18 |
| Sandisk Technologies LLC | 1465 |
16 |
| STMicroelectronics (Rousset) SAS | 955 |
15 |
| eMemory Technology Inc. | 398 |
14 |
| Intel NDTM US LLC | 450 |
9 |
| United Microelectronics Corp. | 4311 |
8 |
| Zeno Semiconductor, Inc. | 236 |
8 |
| Winbond Electronics Corp. | 1329 |
7 |
| Monolithic 3D Inc. | 318 |
6 |
| Autres propriétaires | 97 |