- Sections
- H - Électricité
- H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
- H01L 29/775 - Transistors à effet de champ avec un canal à gaz de porteurs de charge à une dimension, p.ex. FET à fil quantique
Détention brevets de la classe H01L 29/775
Brevets de cette classe: 3373
Historique des publications depuis 10 ans
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134
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122
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201
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118
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313
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878
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848
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| 2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 | 2025 |
Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 43258 |
910 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 147501 |
613 |
| International Business Machines Corporation | 61433 |
537 |
| Intel Corporation | 47143 |
274 |
| Qualcomm Incorporated | 86346 |
71 |
| GLOBALFOUNDRIES U.S. Inc. | 6420 |
55 |
| Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences | 1387 |
51 |
| IBM United Kingdom Limited | 4321 |
50 |
| IMEC VZW | 1654 |
43 |
| Applied Materials, Inc. | 18861 |
41 |
| Socionext Inc. | 1556 |
31 |
| Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation | 1761 |
30 |
| Adeia Semiconductor Solutions LLC | 291 |
29 |
| Tokyo Electron Limited | 12877 |
28 |
| Tahoe Research, Ltd. | 1949 |
27 |
| Commissariat à l'énergie atomique et aux energies alternatives | 10941 |
24 |
| IBM Deutschland GmbH | 784 |
24 |
| Sony Corporation | 30936 |
18 |
| Huawei Technologies Co., Ltd. | 113689 |
18 |
| Google LLC | 42540 |
17 |
| Autres propriétaires | 482 |