- Sections
- G - Physique
- G11C - Mémoires statiques
- G11C 16/28 - Circuits de détection ou de lectureCircuits de sortie de données utilisant des cellules de détection différentielle ou des cellules de référence, p. ex. des cellules factices
Détention brevets de la classe G11C 16/28
Brevets de cette classe: 937
Historique des publications depuis 10 ans
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96
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86
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113
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95
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95
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63
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56
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47
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48
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34
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| 2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 | 2025 |
Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Micron Technology, Inc. | 26256 |
107 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 146534 |
89 |
| Sandisk Technologies Inc. | 4815 |
86 |
| SK Hynix Inc. | 11380 |
80 |
| Kioxia Corporation | 10301 |
60 |
| Silicon Storage Technology, Inc. | 699 |
54 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 2642 |
30 |
| Seagate Technology LLC | 3969 |
21 |
| Macronix International Co., Ltd. | 2558 |
21 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 42863 |
20 |
| Winbond Electronics Corp. | 1274 |
20 |
| eMemory Technology Inc. | 390 |
19 |
| JPMorgan Chase Bank, N.A., AS The Agent | 2556 |
18 |
| Sandisk Technologies LLC | 1437 |
17 |
| Sunrise Memory Corporation | 213 |
17 |
| STMicroelectronics S.r.l. | 3605 |
16 |
| Renesas Electronics Corporation | 6006 |
15 |
| Infineon Technologies LLC | 538 |
11 |
| MOSAID Technologies Incorporated | 536 |
10 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11416 |
9 |
| Autres propriétaires | 217 |