- Sections
- H - Électricité
- H10F - Dispositifs à semi-conducteurs inorganiques sensibles au rayonnement infrarouge, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire
- H10F 77/124 - Matériaux actifs comportant uniquement des matériaux du groupe III-V, p. ex. GaAs
Détention brevets de la classe H10F 77/124
Brevets de cette classe: 38
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 42863 |
4 |
| Mitsubishi Electric Corporation | 46160 |
2 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 146534 |
1 |
| The Boeing Company | 20057 |
1 |
| Sumitomo Electric Industries, Ltd. | 15511 |
1 |
| Asahi Kasei Microdevices Corporation | 536 |
1 |
| Dowa Electronics Materials Co., Ltd. | 632 |
1 |
| Dowa Holdings Co., Ltd. | 78 |
1 |
| Fundacio Institut de Ciencies Fotoniques | 127 |
1 |
| The Government of the United States of America, as represented by the Secretary of the Navy | 1300 |
1 |
| Institucio Catalana de Recerca I Estudis Avancats | 351 |
1 |
| Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences | 92 |
1 |
| IQE plc. | 114 |
1 |
| Jusung Engineering Co., Ltd. | 444 |
1 |
| MACOM Technology Solutions Holdings, Inc. | 817 |
1 |
| Masimo Semiconductor, Inc. | 9 |
1 |
| MicroLink Devices, Inc. | 37 |
1 |
| Naked Energy Ltd | 10 |
1 |
| Sensor Electronic Technology, Inc. | 468 |
1 |
| Sixpoint Materials, Inc. | 60 |
1 |
| Autres propriétaires | 14 |