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H10F 10/00
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Cellules photovoltaïques individuelles, p. ex. cellules solaires |
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H10F 10/10
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Cellules photovoltaïques individuelles, p. ex. cellules solaires ayant des barrières de potentiel |
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H10F 10/11
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Cellules photovoltaïques ayant des barrières de potentiel à contact ponctuel |
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H10F 10/12
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Cellules photovoltaïques ayant uniquement des barrières de potentiel métal-isolant-semi-conducteur [MIS] |
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H10F 10/13
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Cellules photovoltaïques comportant des couches d’absorption du type à bande interdite graduelle |
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H10F 10/14
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Cellules photovoltaïques ayant uniquement des barrières de potentiel du type à homojonction PN |
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H10F 10/16
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Cellules photovoltaïques ayant uniquement des barrières de potentiel du type à hétérojonction PN |
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H10F 10/17
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Cellules photovoltaïques ayant uniquement des barrières de potentiel du type jonction PIN |
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H10F 10/18
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Cellules photovoltaïques ayant uniquement des barrières de potentiel du type Schottky |
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H10F 10/19
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Cellules photovoltaïques ayant plusieurs barrières de potentiel de type différent, p. ex. cellules dites "tandem" comprenant à la fois des jonctions PN et des jonctions PIN |
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H10F 10/142
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Cellules photovoltaïques ayant uniquement des barrières de potentiel du type à homojonction PN comportant plusieurs homojonctions PN, p. ex. cellules dites "tandem" |
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H10F 10/144
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Cellules photovoltaïques ayant uniquement des barrières de potentiel du type à homojonction PN comprenant uniquement des matériaux du groupe III-V, p. ex. cellules photovoltaïques GaAs, AlGaAs ou InP |
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H10F 10/161
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Cellules photovoltaïques ayant uniquement des barrières de potentiel du type à hétérojonction PN comportant plusieurs hétérojonctions PN, p. ex. cellules dites "tandem" |
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H10F 10/162
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Cellules photovoltaïques ayant uniquement des barrières de potentiel du type à hétérojonction PN comprenant uniquement des matériaux semiconducteurs du groupe II-VI, p. ex. cellules photovoltaïques CdS/CdTe |
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H10F 10/163
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Cellules photovoltaïques ayant uniquement des barrières de potentiel du type à hétérojonction PN comprenant uniquement des matériaux semiconducteurs du groupe III-V, p. ex. cellules photovoltaïques GaAs/AlGaAs ou InP/GaInAs |
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H10F 10/164
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Cellules photovoltaïques ayant uniquement des barrières de potentiel du type à hétérojonction PN comprenant des hétérojonctions avec des matériaux du groupe IV, p. ex. cellules photovoltaïques ITO/Si ou GaAs/SiGe |
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H10F 10/165
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Cellules photovoltaïques ayant uniquement des barrières de potentiel du type à hétérojonction PN comprenant des hétérojonctions avec des matériaux du groupe IV, p. ex. cellules photovoltaïques ITO/Si ou GaAs/SiGe les hétérojonctions étant des hétérojonctions du groupe IV-IV, p. ex. cellules photovoltaïques Si/Ge, SiGe/Si ou Si/SiC |
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H10F 10/166
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Cellules photovoltaïques ayant uniquement des barrières de potentiel du type à hétérojonction PN comprenant des hétérojonctions avec des matériaux du groupe IV, p. ex. cellules photovoltaïques ITO/Si ou GaAs/SiGe les hétérojonctions étant des hétérojonctions du groupe IV-IV, p. ex. cellules photovoltaïques Si/Ge, SiGe/Si ou Si/SiC les hétérojonctions du groupe IV-IV étant des hétérojonctions avec des matériaux cristallins et amorphes, p. ex. cellules solaires à hétérojonction silicium [SHJ] |
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H10F 10/167
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Cellules photovoltaïques ayant uniquement des barrières de potentiel du type à hétérojonction PN comprenant des matériaux du groupe I-III-VI, p. ex. cellules photovoltaïques à hétérojonctions CdS/CuInSe2 [CIS] |
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H10F 10/172
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Cellules photovoltaïques ayant uniquement des barrières de potentiel du type jonction PIN comprenant plusieurs jonctions PIN, p. ex. cellules dites "tandem" |
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H10F 10/174
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Cellules photovoltaïques ayant uniquement des barrières de potentiel du type jonction PIN comprenant des matériaux monocristallins ou polycristallins |
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H10F 19/00
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Dispositifs intégrés, ou ensembles de plusieurs dispositifs, comprenant au moins une cellule photovoltaïque couverte par le groupe , p. ex. modules photovoltaïques |
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H10F 19/10
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Dispositifs intégrés, ou ensembles de plusieurs dispositifs, comprenant au moins une cellule photovoltaïque couverte par le groupe , p. ex. modules photovoltaïques comportant des matrices de cellules photovoltaïques sur un substrat semi-conducteur unique, les cellules photovoltaïques comportant des jonctions verticales ou des jonctions en forme de tranchées en V |
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H10F 19/20
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Dispositifs intégrés, ou ensembles de plusieurs dispositifs, comprenant au moins une cellule photovoltaïque couverte par le groupe , p. ex. modules photovoltaïques comportant des matrices de cellules photovoltaïques dans ou sur un substrat semi-conducteur unique, les cellules comportant des jonctions planaires |
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H10F 19/30
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Dispositifs intégrés, ou ensembles de plusieurs dispositifs, comprenant au moins une cellule photovoltaïque couverte par le groupe , p. ex. modules photovoltaïques comportant des cellules photovoltaïques en couches minces |
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H10F 19/31
|
Dispositifs intégrés, ou ensembles de plusieurs dispositifs, comprenant au moins une cellule photovoltaïque couverte par le groupe , p. ex. modules photovoltaïques comportant des cellules photovoltaïques en couches minces avec plusieurs cellules photovoltaïques en couches minces côte à côte déposées sur un substrat commun |
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H10F 19/33
|
Procédés de structuration pour connecter les cellules photovoltaïques, p. ex. gravure par laser des couches conductrices ou des couches actives |
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H10F 19/35
|
Structures pour la connexion de cellules photovoltaïques adjacentes, p. ex. interconnexions ou espaceurs isolants |
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H10F 19/37
|
Dispositifs intégrés, ou ensembles de plusieurs dispositifs, comprenant au moins une cellule photovoltaïque couverte par le groupe , p. ex. modules photovoltaïques comportant des cellules photovoltaïques en couches minces avec plusieurs cellules photovoltaïques en couches minces côte à côte déposées sur un substrat commun comportant des moyens pour obtenir une transmission partielle de la lumière à travers les dispositifs intégrés, ou les ensembles de plusieurs dispositifs, p. ex. modules photovoltaïques en couches minces partiellement transparentes pour fenêtres |
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H10F 19/40
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Dispositifs intégrés, ou ensembles de plusieurs dispositifs, comprenant au moins une cellule photovoltaïque couverte par le groupe , p. ex. modules photovoltaïques comportant des cellules photovoltaïques empilées mécaniquement |
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H10F 19/50
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Dispositifs intégrés comportant au moins une cellule photovoltaïque et d’autres types de composants semi-conducteurs ou à l’état solide |
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H10F 19/70
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Dispositifs intégrés, ou ensembles de plusieurs dispositifs, comprenant au moins une cellule photovoltaïque couverte par le groupe , p. ex. modules photovoltaïques comportant des diodes de dérivation |
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H10F 19/75
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Dispositifs intégrés, ou ensembles de plusieurs dispositifs, comprenant au moins une cellule photovoltaïque couverte par le groupe , p. ex. modules photovoltaïques comportant des diodes de dérivation les diodes de dérivation étant intégrées ou directement associées aux cellules photovoltaïques, p. ex. formées dans ou sur le même substrat |
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H10F 19/80
|
Encapsulations ou conteneurs pour des dispositifs intégrés, ou des ensembles de plusieurs dispositifs, comportant des cellules photovoltaïques |
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H10F 19/85
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Faces arrière protectrices |
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H10F 19/90
|
Structures pour la connexion des cellules photovoltaïques, p. ex. interconnexions ou espaceurs isolants |
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H10F 30/00
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Dispositifs individuels à semi-conducteurs sensibles au rayonnement dans lesquels le rayonnement commande le flux de courant à travers les dispositifs, p. ex. photodétecteurs |
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H10F 30/10
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Dispositifs individuels à semi-conducteurs sensibles au rayonnement dans lesquels le rayonnement commande le flux de courant à travers les dispositifs, p. ex. photodétecteurs les dispositifs étant sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet et n’ayant pas de barrières de potentiel, p. ex. photo-résistances |
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H10F 30/20
|
Dispositifs individuels à semi-conducteurs sensibles au rayonnement dans lesquels le rayonnement commande le flux de courant à travers les dispositifs, p. ex. photodétecteurs les dispositifs ayant des barrières de potentiel, p. ex. phototransistors |
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H10F 30/21
|
Dispositifs individuels à semi-conducteurs sensibles au rayonnement dans lesquels le rayonnement commande le flux de courant à travers les dispositifs, p. ex. photodétecteurs les dispositifs ayant des barrières de potentiel, p. ex. phototransistors les dispositifs étant sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet |
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H10F 30/22
|
Dispositifs individuels à semi-conducteurs sensibles au rayonnement dans lesquels le rayonnement commande le flux de courant à travers les dispositifs, p. ex. photodétecteurs les dispositifs ayant des barrières de potentiel, p. ex. phototransistors les dispositifs étant sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet les dispositifs ayant une seule barrière de potentiel, p. ex. photodiodes |
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H10F 30/24
|
Dispositifs individuels à semi-conducteurs sensibles au rayonnement dans lesquels le rayonnement commande le flux de courant à travers les dispositifs, p. ex. photodétecteurs les dispositifs ayant des barrières de potentiel, p. ex. phototransistors les dispositifs étant sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet les dispositifs ayant uniquement deux barrières de potentiel, p. ex. phototransistors bipolaires |
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H10F 30/26
|
Dispositifs individuels à semi-conducteurs sensibles au rayonnement dans lesquels le rayonnement commande le flux de courant à travers les dispositifs, p. ex. photodétecteurs les dispositifs ayant des barrières de potentiel, p. ex. phototransistors les dispositifs étant sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet les dispositifs ayant au moins trois barrières de potentiel, p. ex. photothyristors |
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H10F 30/28
|
Dispositifs individuels à semi-conducteurs sensibles au rayonnement dans lesquels le rayonnement commande le flux de courant à travers les dispositifs, p. ex. photodétecteurs les dispositifs ayant des barrières de potentiel, p. ex. phototransistors les dispositifs étant sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet les dispositifs étant caractérisés par un fonctionnement par effet de champ, p. ex. phototransistors à effet de champ à jonction |
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H10F 30/29
|
Dispositifs individuels à semi-conducteurs sensibles au rayonnement dans lesquels le rayonnement commande le flux de courant à travers les dispositifs, p. ex. photodétecteurs les dispositifs ayant des barrières de potentiel, p. ex. phototransistors les dispositifs étant sensibles au rayonnement d'ondes très courtes, p. ex. rayons X, rayons gamma ou rayonnement corpusculaire |
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H10F 30/221
|
Dispositifs individuels à semi-conducteurs sensibles au rayonnement dans lesquels le rayonnement commande le flux de courant à travers les dispositifs, p. ex. photodétecteurs les dispositifs ayant des barrières de potentiel, p. ex. phototransistors les dispositifs étant sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet les dispositifs ayant une seule barrière de potentiel, p. ex. photodiodes la barrière de potentiel étant une homojunction PN |
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H10F 30/222
|
Dispositifs individuels à semi-conducteurs sensibles au rayonnement dans lesquels le rayonnement commande le flux de courant à travers les dispositifs, p. ex. photodétecteurs les dispositifs ayant des barrières de potentiel, p. ex. phototransistors les dispositifs étant sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet les dispositifs ayant une seule barrière de potentiel, p. ex. photodiodes la barrière de potentiel étant une hétérojonction PN |
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H10F 30/223
|
Dispositifs individuels à semi-conducteurs sensibles au rayonnement dans lesquels le rayonnement commande le flux de courant à travers les dispositifs, p. ex. photodétecteurs les dispositifs ayant des barrières de potentiel, p. ex. phototransistors les dispositifs étant sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet les dispositifs ayant une seule barrière de potentiel, p. ex. photodiodes la barrière de potentiel étant du type PIN |
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H10F 30/225
|
Dispositifs individuels à semi-conducteurs sensibles au rayonnement dans lesquels le rayonnement commande le flux de courant à travers les dispositifs, p. ex. photodétecteurs les dispositifs ayant des barrières de potentiel, p. ex. phototransistors les dispositifs étant sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet les dispositifs ayant une seule barrière de potentiel, p. ex. photodiodes la barrière de potentiel fonctionnant en régime d'avalanche, p. ex. photodiodes à avalanche |
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H10F 30/227
|
Dispositifs individuels à semi-conducteurs sensibles au rayonnement dans lesquels le rayonnement commande le flux de courant à travers les dispositifs, p. ex. photodétecteurs les dispositifs ayant des barrières de potentiel, p. ex. phototransistors les dispositifs étant sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet les dispositifs ayant une seule barrière de potentiel, p. ex. photodiodes la barrière de potentiel étant du type Schottky |
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H10F 30/282
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Transistors à effet de champ à grille isolée [IGFET], p. ex. phototransistors MISFET [transistor à effet de champ métal-isolant-semi-conducteur] |
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H10F 30/292
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Détecteurs de rayonnement à effet de volume, p. ex. détecteurs PIN en Ge compensés au Li pour rayons gamma |
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H10F 30/295
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Détecteurs à barrière de surface ou à jonction PN superficielle, p. ex. détecteurs de particules alpha à barrière de surface |
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H10F 30/298
|
Dispositifs individuels à semi-conducteurs sensibles au rayonnement dans lesquels le rayonnement commande le flux de courant à travers les dispositifs, p. ex. photodétecteurs les dispositifs ayant des barrières de potentiel, p. ex. phototransistors les dispositifs étant sensibles au rayonnement d'ondes très courtes, p. ex. rayons X, rayons gamma ou rayonnement corpusculaire les dispositifs étant caractérisés par un fonctionnement par effet de champ, p. ex. détecteurs du type MIS |
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H10F 39/00
|
Dispositifs intégrés, ou ensembles de plusieurs dispositifs, comprenant au moins un élément couvert par le groupe , p. ex. détecteurs de rayonnement comportant une matrice de photodiodes |
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H10F 39/10
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Dispositifs intégrés |
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H10F 39/12
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Capteurs d’images |
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H10F 39/15
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Capteurs d’images à couplage de charge [CCD] |
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H10F 39/18
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Capteurs d’images à semi-conducteurs d’oxyde de métal complémentaire [CMOS]Capteurs d’images à matrice de photodiodes |
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H10F 39/90
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Ensembles de plusieurs dispositifs |
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H10F 39/95
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Ensembles de plusieurs dispositifs comportant au moins un dispositif intégré couvert par le groupe , p. ex. comportant des capteurs d’images intégrés |
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H10F 55/00
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Dispositifs à semi-conducteurs sensibles au rayonnement couverts par les groupes , ou structurellement associés à des sources lumineuses électriques et électriquement ou optiquement couplés avec lesdites sources |
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H10F 55/10
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Dispositifs à semi-conducteurs sensibles au rayonnement couverts par les groupes , ou structurellement associés à des sources lumineuses électriques et électriquement ou optiquement couplés avec lesdites sources dans lesquels les dispositifs à semi-conducteurs sensibles au rayonnement commandent la source lumineuse électrique, p. ex. convertisseurs d'images, amplificateurs d'images ou dispositifs de stockage d'image |
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H10F 55/15
|
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles au rayonnement couverts par les groupes , ou structurellement associés à des sources lumineuses électriques et électriquement ou optiquement couplés avec lesdites sources dans lesquels les dispositifs à semi-conducteurs sensibles au rayonnement commandent la source lumineuse électrique, p. ex. convertisseurs d'images, amplificateurs d'images ou dispositifs de stockage d'image dans lesquels les dispositifs sensibles au rayonnement et la source lumineuse électrique sont tous des dispositifs à semi-conducteurs |
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H10F 55/20
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Dispositifs à semi-conducteurs sensibles au rayonnement couverts par les groupes , ou structurellement associés à des sources lumineuses électriques et électriquement ou optiquement couplés avec lesdites sources dans lesquels la source lumineuse électrique commande les dispositifs à semi-conducteurs sensibles au rayonnement, p. ex. optocoupleurs |
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H10F 55/25
|
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles au rayonnement couverts par les groupes , ou structurellement associés à des sources lumineuses électriques et électriquement ou optiquement couplés avec lesdites sources dans lesquels la source lumineuse électrique commande les dispositifs à semi-conducteurs sensibles au rayonnement, p. ex. optocoupleurs dans lesquels les dispositifs sensibles au rayonnement et la source lumineuse électrique sont tous des dispositifs à semi-conducteurs |
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H10F 55/155
|
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles au rayonnement couverts par les groupes , ou structurellement associés à des sources lumineuses électriques et électriquement ou optiquement couplés avec lesdites sources dans lesquels les dispositifs à semi-conducteurs sensibles au rayonnement commandent la source lumineuse électrique, p. ex. convertisseurs d'images, amplificateurs d'images ou dispositifs de stockage d'image dans lesquels les dispositifs sensibles au rayonnement et la source lumineuse électrique sont tous des dispositifs à semi-conducteurs formés dans ou sur un même substrat |
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H10F 55/255
|
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles au rayonnement couverts par les groupes , ou structurellement associés à des sources lumineuses électriques et électriquement ou optiquement couplés avec lesdites sources dans lesquels la source lumineuse électrique commande les dispositifs à semi-conducteurs sensibles au rayonnement, p. ex. optocoupleurs dans lesquels les dispositifs sensibles au rayonnement et la source lumineuse électrique sont tous des dispositifs à semi-conducteurs formés dans ou sur un même substrat |
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H10F 71/00
|
Fabrication ou traitement des dispositifs couverts par la présente sous-classe |
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H10F 71/10
|
Fabrication ou traitement des dispositifs couverts par la présente sous-classe les dispositifs comprenant des matériaux semi-conducteurs amorphes |
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H10F 77/00
|
Détails de structure des dispositifs couverts par la présente sous-classe |
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H10F 77/10
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Corps semi-conducteurs |
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H10F 77/12
|
Matériaux actifs |
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H10F 77/14
|
Forme des corps semi-conducteursFormes, dimensions relatives ou dispositions des régions semi-conductrices au sein des corps semi-conducteurs |
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H10F 77/16
|
Structures des matériaux, p. ex. structures cristallines, structures en film ou orientations des plans cristallins |
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H10F 77/20
|
Électrodes |
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H10F 77/30
|
Revêtements |
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H10F 77/40
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Éléments ou dispositions optiques |
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H10F 77/42
|
Éléments ou dispositions optiques directement associés ou intégrés aux cellules photovoltaïques, p. ex. moyens réflecteurs ou concentrateurs de lumière |
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H10F 77/45
|
Moyens de conversion de la longueur d'onde, p. ex. en utilisant un matériau luminescent, des concentrateurs fluorescents ou des dispositions de conversion ascendante |
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H10F 77/48
|
Réflecteurs en face arrière [BSR] |
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H10F 77/50
|
Encapsulations ou conteneurs |
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H10F 77/60
|
Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation des fluctuations de température |
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H10F 77/63
|
Dispositions pour le refroidissement directement associées ou intégrées aux cellules photovoltaïques, p. ex. puits thermiques directement associés aux cellules photovoltaïques ou éléments Peltier intégrés pour le refroidissement actif |
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H10F 77/67
|
Dispositions pour le refroidissement directement associées ou intégrées aux cellules photovoltaïques, p. ex. puits thermiques directement associés aux cellules photovoltaïques ou éléments Peltier intégrés pour le refroidissement actif comprenant des moyens d’utilisation de l’énergie thermique directement associés aux cellules photovoltaïques, p. ex. éléments Seebeck intégrés |
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H10F 77/70
|
Textures de surface, p. ex. structures pyramidales |
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H10F 77/80
|
Dispositions pour prévenir les dommages causés par des radiations corpusculaires, p. ex. pour les applications spatiales |
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H10F 77/90
|
Moyens de stockage d’énergie directement associés ou intégrés aux cellules PV, p. ex. condensateurs intégrés aux cellules photovoltaïques |
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H10F 77/121
|
Matériaux actifs comportant uniquement du sélénium ou uniquement du tellure |
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H10F 77/122
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Matériaux actifs comportant uniquement des matériaux du groupe IV |
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H10F 77/123
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Matériaux actifs comportant uniquement des matériaux du groupe II-VI, p. ex. CdS, ZnS ou HgCdTe |
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H10F 77/124
|
Matériaux actifs comportant uniquement des matériaux du groupe III-V, p. ex. GaAs |
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H10F 77/162
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Matériaux non monocristallins, p. ex. particules semi-conductrices incorporées dans des matériaux isolants |
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H10F 77/164
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Semi-conducteurs polycristallins |
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H10F 77/166
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Semi-conducteurs amorphes |
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H10F 77/169
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Films minces semi-conducteurs sur des substrats métalliques ou isolants |
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H10F 77/1223
|
Matériaux actifs comportant uniquement des matériaux du groupe IV caractérisés par les dopants |
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H10F 77/1226
|
Matériaux actifs comportant uniquement des matériaux du groupe IV comportant plusieurs éléments du groupe IV, p. ex. SiC |
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H10F 99/00
|
Matière non prévue dans les autres groupes de la présente sous-classe |