- Sections
- H - Électricité
- H10F - Dispositifs à semi-conducteurs inorganiques sensibles au rayonnement infrarouge, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire
- H10F 77/122 - Matériaux actifs comportant uniquement des matériaux du groupe IV
Détention brevets de la classe H10F 77/122
Brevets de cette classe: 37
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 42549 |
3 |
| Arizona Board of Regents on behalf of Arizona State University | 2612 |
2 |
| GLOBALFOUNDRIES U.S. Inc. | 6427 |
2 |
| Zhejiang Jinko Solar Co., Ltd. | 225 |
2 |
| Maxeon Solar Pte. Ltd. | 715 |
2 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 145630 |
1 |
| NEC Corporation | 35567 |
1 |
| Cisco Technology, Inc. | 19881 |
1 |
| Mitsubishi Electric Corporation | 45998 |
1 |
| Ciena Corporation | 2028 |
1 |
| Nippon Telegraph and Telephone Corporation | 17303 |
1 |
| The 13th Research Institute of China Electronics Technology Group Corporation | 125 |
1 |
| 3SUN S.r.l. | 38 |
1 |
| Board of Trustees of the University of Arkansas | 811 |
1 |
| Jinko Solar Co., Ltd. | 230 |
1 |
| National University Corporation Shizuoka University | 390 |
1 |
| Ostendo Technologies, Inc. | 112 |
1 |
| Sony Semiconductor Solutions Corporation | 10404 |
1 |
| STMicroelectronics (Crolles 2) SAS | 649 |
1 |
| The University of North Carolina at Chapel Hill | 2030 |
1 |
| Autres propriétaires | 11 |