- Sections
- H - Électricité
- H10D - Dispositifs électriques à semi-conducteurs inorganiques
- H10D 84/80 - Dispositifs intégrés formés dans ou sur des substrats semi-conducteurs qui comprennent uniquement des couches semi-conductrices, p. ex. sur des plaquettes de Si ou sur des plaquettes de GaAs-sur-Si caractérisés par l'intégration d'au moins un composant couvert par les groupes ou , p. ex. l'intégration de transistors IGFET
Détention brevets de la classe H10D 84/80
Brevets de cette classe: 367
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11616 |
77 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 46661 |
50 |
| Fuji Electric Co., Ltd. | 5327 |
35 |
| Rohm Co., Ltd. | 6682 |
29 |
| Minebea Power Semiconductor Device Inc. | 216 |
14 |
| Texas Instruments Incorporated | 19547 |
8 |
| United Microelectronics Corp. | 4398 |
8 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 151726 |
7 |
| Denso Corporation | 24997 |
7 |
| Sony Semiconductor Solutions Corporation | 11074 |
6 |
| International Business Machines Corporation | 61969 |
5 |
| Renesas Electronics Corporation | 5884 |
5 |
| Mitsubishi Electric Corporation | 47380 |
4 |
| Psemi Corporation | 1076 |
4 |
| Nuvoton Technology Corporation Japan | 684 |
4 |
| Pragmatic Semiconductor Limited | 113 |
4 |
| Qualcomm Incorporated | 88980 |
3 |
| Toshiba Corporation | 12546 |
3 |
| Intel Corporation | 46583 |
3 |
| Microchip Technology Incorporated | 3120 |
3 |
| Autres propriétaires | 88 |