- Sections
- H - Électricité
- H10D - Dispositifs électriques à semi-conducteurs inorganiques
- H10D 64/68 - Électrodes ayant un conducteur couplé capacitivement à un semi-conducteur par un isolant, p. ex. électrodes du type métal-isolant-semi-conducteur [MIS] caractérisées par l’isolant, p. ex. par l’isolant de grille
Détention brevets de la classe H10D 64/68
Brevets de cette classe: 132
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 42945 |
49 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 146811 |
14 |
| Intel Corporation | 47033 |
10 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11428 |
7 |
| Micron Technology, Inc. | 26264 |
5 |
| Nanya Technology Corporation | 2480 |
3 |
| Kioxia Corporation | 10314 |
3 |
| Toshiba Corporation | 12367 |
2 |
| Renesas Electronics Corporation | 6006 |
2 |
| United Microelectronics Corp. | 4241 |
2 |
| Innolux Corporation | 3292 |
2 |
| ASM IP Holding B.V. | 2083 |
2 |
| Cornell University | 3307 |
2 |
| Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation | 1982 |
2 |
| Centre National de La Recherche Scientifique | 10464 |
1 |
| Applied Materials, Inc. | 18746 |
1 |
| Mitsubishi Electric Corporation | 46197 |
1 |
| SK Hynix Inc. | 11399 |
1 |
| Huawei Technologies Co., Ltd. | 113064 |
1 |
| Rohm Co., Ltd. | 6471 |
1 |
| Autres propriétaires | 21 |