- Sections
- H - Électricité
- H10D - Dispositifs électriques à semi-conducteurs inorganiques
- H10D 62/85 - Corps semi-conducteurs, ou régions de ceux-ci, de dispositifs ayant des barrières de potentiel caractérisés par les matériaux étant des matériaux du groupe III-V, p. ex. GaAs
Détention brevets de la classe H10D 62/85
Brevets de cette classe: 496
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| United Microelectronics Corp. | 4311 |
46 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 46182 |
30 |
| Enkris Semiconductor, Inc. | 393 |
21 |
| Innoscience (Suzhou) Technology Co., ltd. | 171 |
15 |
| Toshiba Corporation | 12547 |
13 |
| Rohm Co., Ltd. | 6561 |
13 |
| MACOM Technology Solutions Holdings, Inc. | 835 |
12 |
| NXP USA, Inc. | 4353 |
11 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 149198 |
10 |
| Infineon Technologies Austria AG | 2221 |
8 |
| Mitsubishi Electric Corporation | 46973 |
8 |
| Japan Display Inc. | 2756 |
8 |
| Innoscience (Suzhou) Semiconductor Co., Ltd. | 150 |
8 |
| Intel Corporation | 46471 |
7 |
| Robert Bosch GmbH | 43096 |
7 |
| Semiconductor Components Industries, L.L.C. | 5297 |
7 |
| QROMIS, Inc. | 97 |
7 |
| Cambridge GaN Devices Limited | 51 |
7 |
| Navitas Semiconductor Limited | 186 |
7 |
| Wolfspeed, Inc. | 774 |
7 |
| Autres propriétaires | 244 |