- Sections
- H - Électricité
- H10D - Dispositifs électriques à semi-conducteurs inorganiques
- H10D 62/832 - Corps semi-conducteurs, ou régions de ceux-ci, de dispositifs ayant des barrières de potentiel caractérisés par les matériaux étant des matériaux du groupe IV, p. ex. Si dopé B ou Ge non dopé étant des matériaux du groupe IV comprenant deux éléments ou plus, p. ex. SiGe
Détention brevets de la classe H10D 62/832
Brevets de cette classe: 284
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
Proprétaire |
Total
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Cette classe
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Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 43258 |
22 |
Toshiba Corporation | 12472 |
21 |
Infineon Technologies AG | 8250 |
18 |
Mitsubishi Electric Corporation | 46397 |
15 |
Fuji Electric Co., Ltd. | 5194 |
14 |
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation | 2023 |
13 |
Rohm Co., Ltd. | 6480 |
10 |
STMicroelectronics S.r.l. | 3603 |
10 |
Genesic Semiconductor Inc | 34 |
9 |
Wolfspeed, Inc. | 730 |
9 |
Sumitomo Electric Industries, Ltd. | 15593 |
8 |
Diodes Incorporated | 232 |
8 |
Samsung Electronics Co., Ltd. | 147501 |
5 |
Robert Bosch GmbH | 42813 |
5 |
Denso Corporation | 24431 |
5 |
Semiconductor Components Industries, L.L.C. | 5269 |
5 |
Toyota Motor Corporation | 32788 |
3 |
Intel Corporation | 47143 |
3 |
STMicroelectronics, Inc. | 300 |
3 |
Globalwafers Co., Ltd. | 647 |
3 |
Autres propriétaires | 95 |