- Sections
- H - Électricité
- H10D - Dispositifs électriques à semi-conducteurs inorganiques
- H10D 12/00 - Dispositifs bipolaires contrôlés par effet de champ, p. ex. transistors bipolaires à grille isolée [IGBT]
Détention brevets de la classe H10D 12/00
Brevets de cette classe: 296
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Fuji Electric Co., Ltd. | 5229 |
73 |
| Rohm Co., Ltd. | 6518 |
40 |
| Toshiba Corporation | 12516 |
21 |
| Minebea Power Semiconductor Device Inc. | 212 |
21 |
| Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation | 2073 |
20 |
| Mitsubishi Electric Corporation | 46672 |
15 |
| Denso Corporation | 24601 |
12 |
| Infineon Technologies AG | 8266 |
11 |
| Renesas Electronics Corporation | 5965 |
7 |
| Infineon Technologies Austria AG | 2197 |
4 |
| Semiconductor Components Industries, L.L.C. | 5289 |
4 |
| Flosfia Inc. | 237 |
4 |
| The Ritsumeikan Trust | 164 |
4 |
| Wolfspeed, Inc. | 749 |
4 |
| Patentix Inc. | 7 |
4 |
| Sanken Electric Co., Ltd. | 452 |
3 |
| Huawei Technologies Co., Ltd. | 114620 |
2 |
| STMicroelectronics International N.V. | 3299 |
2 |
| University of Electronic Science and Technology of China | 422 |
2 |
| Suzhou Oriental Semiconductor Co., Ltd. | 103 |
2 |
| Autres propriétaires | 41 |