- Sections
- H - Électricité
- H10B - Dispositifs de mémoire électronique
- H10B 53/30 - Dispositifs RAM ferro-électrique [FeRAM] comprenant des condensateurs ferro-électriques de mémoire caractérisés par la région noyau de mémoire
Détention brevets de la classe H10B 53/30
Brevets de cette classe: 554
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 44095 |
117 |
| Kepler Computing Inc. | 312 |
81 |
| Micron Technology, Inc. | 26279 |
66 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11487 |
60 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 148077 |
41 |
| Huawei Technologies Co., Ltd. | 114462 |
25 |
| Intel Corporation | 46921 |
14 |
| Ferroelectric Memory GmbH | 73 |
10 |
| SK Hynix Inc. | 11536 |
8 |
| IMEC VZW | 1669 |
7 |
| TetraMem Inc. | 142 |
7 |
| Tokyo Electron Limited | 13008 |
6 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 2792 |
6 |
| International Business Machines Corporation | 61616 |
5 |
| Wuxi Smart Memories Technologies Co., Ltd. | 21 |
5 |
| United Microelectronics Corp. | 4264 |
4 |
| Commissariat à l'énergie atomique et aux energies alternatives | 10959 |
4 |
| Peking University | 1329 |
4 |
| Sony Semiconductor Solutions Corporation | 10714 |
4 |
| Texas Instruments Incorporated | 19450 |
3 |
| Autres propriétaires | 77 |