- Sections
- H - Électricité
- H10B - Dispositifs de mémoire électronique
- H10B 51/20 - Dispositifs de RAM ferro-électrique [FeRAM] comprenant des transistors ferro-électriques de mémoire caractérisés par les agencements tridimensionnels, p. ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur
Détention brevets de la classe H10B 51/20
Brevets de cette classe: 620
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 45023 |
295 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 148649 |
97 |
| Sandisk Technologies Inc. | 4906 |
33 |
| SK Hynix Inc. | 11607 |
30 |
| Micron Technology, Inc. | 26395 |
26 |
| Kioxia Corporation | 10450 |
15 |
| Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences | 1396 |
14 |
| Sunrise Memory Corporation | 213 |
13 |
| IUCF-HYU (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University) | 1454 |
12 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11527 |
10 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 2890 |
9 |
| Korea Advanced Institute of Science and Technology | 4441 |
5 |
| Kepler Computing Inc. | 316 |
5 |
| Tokyo Electron Limited | 13063 |
3 |
| Huawei Technologies Co., Ltd. | 115187 |
3 |
| Macronix International Co., Ltd. | 2547 |
3 |
| NEO Semiconductor, Inc. | 67 |
3 |
| JPMorgan Chase Bank, N.A., AS The Agent | 2621 |
3 |
| International Business Machines Corporation | 61694 |
2 |
| Lam Research Corporation | 5349 |
2 |
| Autres propriétaires | 37 |