- Sections
- H - Électricité
- H10B - Dispositifs de mémoire électronique
- H10B 43/35 - Dispositifs EEPROM avec des isolants de grille à piégeage de charge caractérisés par la région noyau de mémoire avec transistors de sélection de cellules, p. ex. NON-ET
Détention brevets de la classe H10B 43/35
Brevets de cette classe: 1518
Historique des publications depuis 10 ans
|
0
|
0
|
0
|
2
|
13
|
153
|
331
|
278
|
532
|
218
|
| 2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 | 2025 |
Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
|
Cette classe
|
|---|---|---|
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 144426 |
323 |
| Kioxia Corporation | 10282 |
242 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 2587 |
208 |
| Micron Technology, Inc. | 26214 |
186 |
| Sandisk Technologies Inc. | 4804 |
120 |
| SK Hynix Inc. | 11253 |
111 |
| Lodestar Licensing Group LLC | 993 |
57 |
| Applied Materials, Inc. | 18433 |
34 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 42222 |
27 |
| Macronix International Co., Ltd. | 2565 |
27 |
| Sandisk Technologies LLC | 1431 |
22 |
| JPMorgan Chase Bank, N.A., AS The Agent | 2441 |
21 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11371 |
15 |
| IUCF-HYU (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University) | 1361 |
11 |
| Sunrise Memory Corporation | 209 |
7 |
| Intel NDTM US LLC | 420 |
7 |
| Western Digital Technologies, Inc. | 1773 |
6 |
| Monolithic 3D Inc. | 308 |
6 |
| United Microelectronics Corp. | 4232 |
5 |
| Besang, Inc. | 16 |
5 |
| Autres propriétaires | 78 |