- Sections
- H - Électricité
- H10B - Dispositifs de mémoire électronique
- H10B 20/20 - Dispositifs ROM programmable électriquement [PROM] comprenant des composants à effet de champ
Détention brevets de la classe H10B 20/20
Brevets de cette classe: 164
Historique des publications depuis 10 ans
0
|
0
|
0
|
0
|
1
|
15
|
35
|
71
|
39
|
4
|
2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 | 2025 |
Propriétaires principaux
Proprétaire |
Total
|
Cette classe
|
---|---|---|
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 42118 |
81 |
Nanya Technology Corporation | 2383 |
20 |
Monolithic 3D Inc. | 308 |
16 |
Changxin Memory Technologies, Inc. | 4926 |
10 |
United Microelectronics Corp. | 4224 |
8 |
Samsung Electronics Co., Ltd. | 144143 |
4 |
eMemory Technology Inc. | 387 |
3 |
International Business Machines Corporation | 61023 |
2 |
Intel Corporation | 46699 |
2 |
Micron Technology, Inc. | 26209 |
2 |
Texas Instruments Incorporated | 19487 |
2 |
Synopsys, Inc. | 2780 |
2 |
Jmem Technology Co., Ltd. | 7 |
2 |
Rohm Co., Ltd. | 6411 |
1 |
ATI Technologies ULC | 1513 |
1 |
Attopsemi Technology Co., Ltd | 69 |
1 |
GLOBALFOUNDRIES U.S. Inc. | 6431 |
1 |
National Tsing Hua University | 1177 |
1 |
Sony Semiconductor Solutions Corporation | 10271 |
1 |
Yield Microelectronics Corp. | 25 |
1 |
Autres propriétaires | 3 |