- Sections
- H - Électricité
- H10B - Dispositifs de mémoire électronique
- H10B 12/10 - Dispositifs DRAM comprenant des composants bipolaires
Détention brevets de la classe H10B 12/10
Brevets de cette classe: 31
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Zeno Semiconductor, Inc. | 236 |
10 |
| Changxin Memory Technologies, Inc. | 4924 |
4 |
| Beijing Superstring Academy of Memory Technology | 346 |
3 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 151485 |
2 |
| Huawei Technologies Co., Ltd. | 118145 |
2 |
| TetraMem Inc. | 160 |
2 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11608 |
1 |
| Applied Materials, Inc. | 19683 |
1 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 46613 |
1 |
| SK Hynix Inc. | 11912 |
1 |
| Macronix International Co., Ltd. | 2527 |
1 |
| ASM IP Holding B.V. | 2227 |
1 |
| IUCF-HYU (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University) | 1504 |
1 |
| Cxmt Corporation | 301 |
1 |
| Autres propriétaires | 0 |