- Sections
- H - Électricité
- H10B - Dispositifs de mémoire électronique
- H10B 12/10 - Dispositifs DRAM comprenant des composants bipolaires
Détention brevets de la classe H10B 12/10
Brevets de cette classe: 36
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Zeno Semiconductor, Inc. | 236 |
10 |
| Changxin Memory Technologies, Inc. | 4933 |
4 |
| Beijing Superstring Academy of Memory Technology | 412 |
3 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 159473 |
2 |
| SK Hynix Inc. | 12746 |
2 |
| Huawei Technologies Co., Ltd. | 125335 |
2 |
| TetraMem Inc. | 187 |
2 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11896 |
1 |
| Applied Materials, Inc. | 20625 |
1 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 49324 |
1 |
| Macronix International Co., Ltd. | 2485 |
1 |
| ASM IP Holding B.V. | 2481 |
1 |
| IUCF-HYU (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University) | 1711 |
1 |
| Versum Materials US, LLC | 684 |
1 |
| Fujian Jinhua Integrated Circuit Co., Ltd. | 472 |
1 |
| TC Lab, Inc. | 31 |
1 |
| Cxmt Corporation | 437 |
1 |
| QEMS, Inc. | 2 |
1 |
| Autres propriétaires | 0 |