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- H - Électricité
- H10B - Dispositifs de mémoire électronique
- H10B 12/00 - Mémoires dynamiques à accès aléatoire [DRAM]
Détention brevets de la classe H10B 12/00
Brevets de cette classe: 4415
Historique des publications depuis 10 ans
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| 2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 | 2025 |
Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 147983 |
992 |
| Changxin Memory Technologies, Inc. | 4928 |
657 |
| Nanya Technology Corporation | 2581 |
377 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11482 |
376 |
| Micron Technology, Inc. | 26255 |
361 |
| SK Hynix Inc. | 11526 |
171 |
| Beijing Superstring Academy of Memory Technology | 310 |
126 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 2765 |
124 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 43854 |
120 |
| Unisantis Electronics Singapore Pte. Ltd. | 657 |
120 |
| Fujian Jinhua Integrated Circuit Co., Ltd. | 425 |
106 |
| Applied Materials, Inc. | 18968 |
105 |
| Winbond Electronics Corp. | 1305 |
88 |
| Intel Corporation | 47239 |
71 |
| Kioxia Corporation | 10439 |
69 |
| Cxmt Corporation | 227 |
67 |
| Monolithic 3D Inc. | 312 |
49 |
| Zeno Semiconductor, Inc. | 250 |
40 |
| Huawei Technologies Co., Ltd. | 114320 |
32 |
| Tokyo Electron Limited | 12994 |
21 |
| Autres propriétaires | 343 |