- Sections
- H - Électricité
- H10B - Dispositifs de mémoire électronique
- H10B 12/00 - Mémoires dynamiques à accès aléatoire [DRAM]
Détention brevets de la classe H10B 12/00
Brevets de cette classe: 6200
Historique des publications depuis 10 ans
|
1
|
2
|
4
|
20
|
151
|
682
|
1233
|
1459
|
1471
|
1067
|
| 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 | 2025 | 2026 |
Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
|
Cette classe
|
|---|---|---|
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 158156 |
1490 |
| Changxin Memory Technologies, Inc. | 4933 |
726 |
| Nanya Technology Corporation | 2919 |
546 |
| Micron Technology, Inc. | 27709 |
523 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11842 |
519 |
| SK Hynix Inc. | 12534 |
273 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 3334 |
209 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 48490 |
179 |
| Beijing Superstring Academy of Memory Technology | 387 |
166 |
| Applied Materials, Inc. | 20438 |
151 |
| Cxmt Corporation | 421 |
149 |
| Fujian Jinhua Integrated Circuit Co., Ltd. | 460 |
134 |
| Unisantis Electronics Singapore Pte. Ltd. | 664 |
128 |
| Winbond Electronics Corp. | 1439 |
121 |
| Intel Corporation | 47100 |
111 |
| Kioxia Corporation | 10840 |
103 |
| Monolithic 3D Inc. | 339 |
55 |
| Huawei Technologies Co., Ltd. | 123677 |
42 |
| Zeno Semiconductor, Inc. | 236 |
42 |
| Tokyo Electron Limited | 13843 |
33 |
| Autres propriétaires | 500 |