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- H - Électricité
- H10B - Dispositifs de mémoire électronique
- H10B 12/00 - Mémoires dynamiques à accès aléatoire [DRAM]
Détention brevets de la classe H10B 12/00
Brevets de cette classe: 5840
Historique des publications depuis 10 ans
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| 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 | 2025 | 2026 |
Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 155224 |
1383 |
| Changxin Memory Technologies, Inc. | 4926 |
722 |
| Nanya Technology Corporation | 2870 |
515 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11705 |
498 |
| Micron Technology, Inc. | 27384 |
476 |
| SK Hynix Inc. | 12267 |
243 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 3225 |
194 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 47734 |
168 |
| Beijing Superstring Academy of Memory Technology | 371 |
158 |
| Applied Materials, Inc. | 20145 |
146 |
| Cxmt Corporation | 397 |
142 |
| Fujian Jinhua Integrated Circuit Co., Ltd. | 453 |
127 |
| Unisantis Electronics Singapore Pte. Ltd. | 659 |
123 |
| Winbond Electronics Corp. | 1399 |
113 |
| Intel Corporation | 46737 |
103 |
| Kioxia Corporation | 10727 |
95 |
| Monolithic 3D Inc. | 331 |
54 |
| Zeno Semiconductor, Inc. | 236 |
42 |
| Huawei Technologies Co., Ltd. | 121192 |
40 |
| Tokyo Electron Limited | 13617 |
33 |
| Autres propriétaires | 465 |