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- H - Électricité
- H10B - Dispositifs de mémoire électronique
- H10B 12/00 - Mémoires dynamiques à accès aléatoire [DRAM]
Détention brevets de la classe H10B 12/00
Brevets de cette classe: 6518
Historique des publications depuis 10 ans
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683
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1364
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| 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 | 2025 | 2026 |
Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 159473 |
1570 |
| Changxin Memory Technologies, Inc. | 4933 |
727 |
| Nanya Technology Corporation | 2968 |
574 |
| Micron Technology, Inc. | 27901 |
567 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11896 |
537 |
| SK Hynix Inc. | 12746 |
292 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 3424 |
229 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 49324 |
191 |
| Beijing Superstring Academy of Memory Technology | 412 |
182 |
| Applied Materials, Inc. | 20625 |
166 |
| Cxmt Corporation | 437 |
154 |
| Fujian Jinhua Integrated Circuit Co., Ltd. | 472 |
140 |
| Unisantis Electronics Singapore Pte. Ltd. | 664 |
128 |
| Winbond Electronics Corp. | 1455 |
126 |
| Kioxia Corporation | 11025 |
120 |
| Intel Corporation | 46327 |
111 |
| Monolithic 3D Inc. | 342 |
55 |
| Huawei Technologies Co., Ltd. | 125335 |
43 |
| Zeno Semiconductor, Inc. | 236 |
42 |
| Tokyo Electron Limited | 13987 |
35 |
| Autres propriétaires | 529 |