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- H - Électricité
- H10B - Dispositifs de mémoire électronique
- H10B 12/00 - Mémoires dynamiques à accès aléatoire [DRAM]
Détention brevets de la classe H10B 12/00
Brevets de cette classe: 5143
Historique des publications depuis 10 ans
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1464
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| 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 | 2025 | 2026 |
Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 151017 |
1173 |
| Changxin Memory Technologies, Inc. | 4925 |
699 |
| Nanya Technology Corporation | 2738 |
445 |
| Micron Technology, Inc. | 27174 |
442 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11583 |
442 |
| SK Hynix Inc. | 11871 |
200 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 3035 |
164 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 46507 |
154 |
| Beijing Superstring Academy of Memory Technology | 344 |
139 |
| Applied Materials, Inc. | 19577 |
124 |
| Unisantis Electronics Singapore Pte. Ltd. | 658 |
121 |
| Fujian Jinhua Integrated Circuit Co., Ltd. | 437 |
115 |
| Cxmt Corporation | 293 |
100 |
| Winbond Electronics Corp. | 1346 |
95 |
| Intel Corporation | 46576 |
84 |
| Kioxia Corporation | 10512 |
73 |
| Monolithic 3D Inc. | 324 |
52 |
| Zeno Semiconductor, Inc. | 236 |
42 |
| Huawei Technologies Co., Ltd. | 117695 |
35 |
| Tokyo Electron Limited | 13336 |
27 |
| Autres propriétaires | 417 |