- Sections
- H - Électricité
- H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
- H01L 29/792 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée à isolant de grille à emmagasinage de charges, p.ex. transistor de mémoire MNOS
Détention brevets de la classe H01L 29/792
Brevets de cette classe: 3345
Historique des publications depuis 10 ans
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339
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283
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148
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107
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25
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| 2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 | 2025 |
Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Kioxia Corporation | 10289 |
374 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 145864 |
363 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11398 |
295 |
| Micron Technology, Inc. | 26258 |
232 |
| Renesas Electronics Corporation | 6014 |
168 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 42636 |
162 |
| Sandisk Technologies Inc. | 4799 |
147 |
| SK Hynix Inc. | 11326 |
144 |
| Macronix International Co., Ltd. | 2557 |
114 |
| Longitude Flash Memory Solutions Ltd. | 277 |
96 |
| United Microelectronics Corp. | 4264 |
68 |
| Sandisk Technologies LLC | 1441 |
58 |
| Infineon Technologies LLC | 543 |
55 |
| Monolithic 3D Inc. | 308 |
52 |
| Tokyo Electron Limited | 12694 |
44 |
| Sunrise Memory Corporation | 212 |
42 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 2626 |
40 |
| Floadia Corporation | 79 |
34 |
| Kabushiki Kaisha Toshiba, doing business as Toshiba Corporation | 6270 |
32 |
| Unisantis Electronics Singapore Pte. Ltd. | 657 |
26 |
| Autres propriétaires | 799 |