- Sections
- H - Électricité
- H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
- H01L 27/11587 - Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs les électrodes de grille comprenant une couche utilisée pour ses propriétés de mémoire ferro-électrique, p.ex. semi-conducteur métal-ferro-électrique [MFS] ou semi-conducteur d’isolation métal-ferro-électrique-métal [MFMIS] caractérisées par la configuration vue du dessus
Détention brevets de la classe H01L 27/11587
Brevets de cette classe: 132
Historique des publications depuis 10 ans
|
0
|
1
|
7
|
18
|
19
|
48
|
27
|
12
|
2
|
0
|
| 2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 | 2025 |
Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
|
Cette classe
|
|---|---|---|
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 45590 |
28 |
| Sandisk Technologies Inc. | 4918 |
20 |
| Micron Technology, Inc. | 26461 |
10 |
| SK Hynix Inc. | 11629 |
10 |
| Sandisk Technologies LLC | 1452 |
10 |
| Kioxia Corporation | 10452 |
7 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 148765 |
6 |
| Renesas Electronics Corporation | 5939 |
3 |
| Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences | 1398 |
3 |
| Sony Semiconductor Solutions Corporation | 10780 |
3 |
| Sunrise Memory Corporation | 213 |
3 |
| Ferroelectric Memory GmbH | 75 |
3 |
| Macronix International Co., Ltd. | 2544 |
2 |
| Lam Research Corporation | 5354 |
2 |
| National Institute of Advanced Industrial Science and Technology | 3798 |
2 |
| Parabellum Strategic Opportunities Fund LLC | 197 |
2 |
| Sony Corporation | 30812 |
1 |
| International Business Machines Corporation | 61738 |
1 |
| Intel Corporation | 46455 |
1 |
| Synopsys, Inc. | 2752 |
1 |
| Autres propriétaires | 14 |