- Sections
- H - Électricité
- H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
- H01L 27/11568 - Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs avec isolateurs de grille à piégeage de charge, p.ex. MNOS ou NROM caractérisées par la région noyau de mémoire
Détention brevets de la classe H01L 27/11568
Brevets de cette classe: 791
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Kioxia Corporation | 10301 |
94 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 146534 |
88 |
| Micron Technology, Inc. | 26256 |
84 |
| Renesas Electronics Corporation | 6006 |
79 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 42863 |
70 |
| SK Hynix Inc. | 11380 |
46 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 2642 |
32 |
| Longitude Flash Memory Solutions Ltd. | 273 |
30 |
| Sandisk Technologies Inc. | 4815 |
26 |
| Infineon Technologies LLC | 538 |
26 |
| United Microelectronics Corp. | 4230 |
24 |
| Sandisk Technologies LLC | 1437 |
22 |
| Macronix International Co., Ltd. | 2558 |
21 |
| IUCF-HYU (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University) | 1398 |
9 |
| Sunrise Memory Corporation | 213 |
9 |
| GLOBALFOUNDRIES Singapore Pte. Ltd. | 805 |
8 |
| Changxin Memory Technologies, Inc. | 4926 |
6 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11416 |
5 |
| Applied Materials, Inc. | 18706 |
5 |
| Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences | 1383 |
5 |
| Autres propriétaires | 102 |