- Sections
- H - Électricité
- H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
- H01L 27/02 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
Détention brevets de la classe H01L 27/02
Brevets de cette classe: 8995
Historique des publications depuis 10 ans
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1012
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652
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661
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606
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196
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| 2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 | 2025 |
Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 42118 |
1411 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 144143 |
647 |
| Qualcomm Incorporated | 84501 |
272 |
| Texas Instruments Incorporated | 19487 |
259 |
| Boe Technology Group Co., Ltd. | 40613 |
256 |
| Intel Corporation | 46699 |
227 |
| GLOBALFOUNDRIES U.S. Inc. | 6431 |
190 |
| Renesas Electronics Corporation | 6041 |
185 |
| United Microelectronics Corp. | 4224 |
182 |
| Micron Technology, Inc. | 26209 |
181 |
| International Business Machines Corporation | 61023 |
147 |
| Infineon Technologies AG | 8199 |
146 |
| Socionext Inc. | 1550 |
137 |
| Rohm Co., Ltd. | 6411 |
104 |
| Changxin Memory Technologies, Inc. | 4926 |
100 |
| Semiconductor Components Industries, L.L.C. | 5249 |
97 |
| Monolithic 3D Inc. | 308 |
92 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11358 |
90 |
| NXP USA, Inc. | 4273 |
89 |
| SK Hynix Inc. | 11222 |
83 |
| Autres propriétaires | 4100 |