• Sections
  • H - Électricité
  • H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
  • H01L 23/525 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées avec des interconnexions modifiables

Détention brevets de la classe H01L 23/525

Brevets de cette classe: 1737

Historique des publications depuis 10 ans

166
219
194
181
157
140
129
131
107
66
2016 2017 2018 2019 2020 2021 2022 2023 2024 2025

Propriétaires principaux

Proprétaire
Total
Cette classe
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.
43258
324
International Business Machines Corporation
61433
134
Nanya Technology Corporation
2528
77
Intel Corporation
47143
63
Samsung Electronics Co., Ltd.
147501
61
GLOBALFOUNDRIES U.S. Inc.
6420
53
Monolithic 3D Inc.
308
51
Micron Technology, Inc.
26183
50
Changxin Memory Technologies, Inc.
4927
48
SK Hynix Inc.
11469
44
Qualcomm Incorporated
86346
34
Renesas Electronics Corporation
5987
31
Texas Instruments Incorporated
19455
30
United Microelectronics Corp.
4244
29
eMemory Technology Inc.
394
27
GLOBALFOUNDRIES Singapore Pte. Ltd.
810
21
Infineon Technologies AG
8250
18
Rohm Co., Ltd.
6480
18
Xintec Inc.
273
17
Synopsys, Inc.
2774
15
Autres propriétaires 592