- Sections
- H - Électricité
- H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
- H01L 23/525 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées avec des interconnexions modifiables
Détention brevets de la classe H01L 23/525
Brevets de cette classe: 1737
Historique des publications depuis 10 ans
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2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 | 2025 |
Propriétaires principaux
Proprétaire |
Total
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Cette classe
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Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 43258 |
324 |
International Business Machines Corporation | 61433 |
134 |
Nanya Technology Corporation | 2528 |
77 |
Intel Corporation | 47143 |
63 |
Samsung Electronics Co., Ltd. | 147501 |
61 |
GLOBALFOUNDRIES U.S. Inc. | 6420 |
53 |
Monolithic 3D Inc. | 308 |
51 |
Micron Technology, Inc. | 26183 |
50 |
Changxin Memory Technologies, Inc. | 4927 |
48 |
SK Hynix Inc. | 11469 |
44 |
Qualcomm Incorporated | 86346 |
34 |
Renesas Electronics Corporation | 5987 |
31 |
Texas Instruments Incorporated | 19455 |
30 |
United Microelectronics Corp. | 4244 |
29 |
eMemory Technology Inc. | 394 |
27 |
GLOBALFOUNDRIES Singapore Pte. Ltd. | 810 |
21 |
Infineon Technologies AG | 8250 |
18 |
Rohm Co., Ltd. | 6480 |
18 |
Xintec Inc. | 273 |
17 |
Synopsys, Inc. | 2774 |
15 |
Autres propriétaires | 592 |