• Sections
  • H - Électricité
  • H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
  • H01L 23/525 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées avec des interconnexions modifiables

Détention brevets de la classe H01L 23/525

Brevets de cette classe: 1750

Historique des publications depuis 10 ans

219
194
181
157
140
129
132
100
82
23
2017 2018 2019 2020 2021 2022 2023 2024 2025 2026

Propriétaires principaux

Proprétaire
Total
Cette classe
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.
49440
330
International Business Machines Corporation
62871
135
Nanya Technology Corporation
2979
79
Samsung Electronics Co., Ltd.
159755
67
Intel Corporation
46342
58
GLOBALFOUNDRIES U.S. Inc.
6396
53
Monolithic 3D Inc.
344
53
Micron Technology, Inc.
27932
50
Changxin Memory Technologies, Inc.
4933
48
SK Hynix Inc.
12769
44
Qualcomm Incorporated
93957
34
United Microelectronics Corp.
4537
33
Texas Instruments Incorporated
19643
31
Renesas Electronics Corporation
5844
30
eMemory Technology Inc.
413
27
GLOBALFOUNDRIES Singapore Pte. Ltd.
891
19
Infineon Technologies AG
8432
18
Rohm Co., Ltd.
6928
18
Xintec Inc.
279
17
Synopsys, Inc.
2630
15
Autres propriétaires 591