- Sections
- H - Électricité
- H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
- H01L 23/522 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
Détention brevets de la classe H01L 23/522
Brevets de cette classe: 15910
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 45023 |
4055 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 148649 |
1347 |
| Intel Corporation | 46703 |
850 |
| International Business Machines Corporation | 61694 |
806 |
| Micron Technology, Inc. | 26395 |
458 |
| Qualcomm Incorporated | 87191 |
387 |
| Kioxia Corporation | 10450 |
359 |
| SK Hynix Inc. | 11607 |
314 |
| Sony Semiconductor Solutions Corporation | 10756 |
310 |
| GLOBALFOUNDRIES U.S. Inc. | 6415 |
289 |
| Sandisk Technologies Inc. | 4906 |
288 |
| Renesas Electronics Corporation | 5946 |
251 |
| Texas Instruments Incorporated | 19486 |
214 |
| Nanya Technology Corporation | 2632 |
210 |
| United Microelectronics Corp. | 4288 |
194 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 2890 |
180 |
| Rohm Co., Ltd. | 6536 |
137 |
| Changxin Memory Technologies, Inc. | 4929 |
104 |
| Tokyo Electron Limited | 13063 |
100 |
| Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation | 1752 |
94 |
| Autres propriétaires | 4963 |