- Sections
- H - Électricité
- H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
- H01L 23/522 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
Détention brevets de la classe H01L 23/522
Brevets de cette classe: 15441
Historique des publications depuis 10 ans
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889
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| 2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 | 2025 |
Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 42804 |
3840 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 146346 |
1313 |
| Intel Corporation | 47005 |
845 |
| International Business Machines Corporation | 61257 |
780 |
| Micron Technology, Inc. | 26238 |
441 |
| Qualcomm Incorporated | 85434 |
373 |
| Kioxia Corporation | 10293 |
353 |
| Sony Semiconductor Solutions Corporation | 10467 |
304 |
| SK Hynix Inc. | 11368 |
301 |
| GLOBALFOUNDRIES U.S. Inc. | 6432 |
287 |
| Sandisk Technologies Inc. | 4809 |
282 |
| Renesas Electronics Corporation | 6009 |
253 |
| Texas Instruments Incorporated | 19460 |
209 |
| Nanya Technology Corporation | 2468 |
200 |
| United Microelectronics Corp. | 4229 |
189 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 2641 |
176 |
| Rohm Co., Ltd. | 6459 |
134 |
| Changxin Memory Technologies, Inc. | 4926 |
104 |
| Tokyo Electron Limited | 12733 |
96 |
| Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation | 1767 |
94 |
| Autres propriétaires | 4867 |