• Sections
  • G - Physique
  • G11C - Mémoires statiques
  • G11C 11/417 - Circuits auxiliaires, p. ex. pour l'adressage, le décodage, la commande, l'écriture, la lecture, la synchronisation ou la réduction de la consommation pour des cellules de mémoire du type à effet de champ

Détention brevets de la classe G11C 11/417

Brevets de cette classe: 566

Historique des publications depuis 10 ans

70
54
75
60
62
37
48
33
21
19
2016 2017 2018 2019 2020 2021 2022 2023 2024 2025

Propriétaires principaux

Proprétaire
Total
Cette classe
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.
44433
99
Renesas Electronics Corporation
5969
53
Qualcomm Incorporated
86899
42
Zeno Semiconductor, Inc.
250
20
Samsung Electronics Co., Ltd.
148402
17
Rambus Inc.
2356
14
ARM Limited
4749
14
International Business Machines Corporation
61636
12
Texas Instruments Incorporated
19478
12
Kepler Computing Inc.
315
11
Toshiba Corporation
12520
9
Micron Technology, Inc.
26348
9
Synopsys, Inc.
2765
9
Socionext Inc.
1571
8
United Microelectronics Corp.
4269
7
STMicroelectronics International N.V.
529
7
Panasonic Corporation
20007
6
Intel Corporation
46939
6
Commissariat à l'énergie atomique et aux energies alternatives
10961
6
Semiconductor Manufacturing International (Beijing) Corporation
1033
6
Autres propriétaires 199