• Sections
  • G - Physique
  • G11C - Mémoires statiques
  • G11C 11/402 - Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliersÉléments d'emmagasinage correspondants utilisant des éléments électriques utilisant des dispositifs à semi-conducteurs utilisant des transistors formant des cellules nécessitant un rafraîchissement ou une régénération de la charge, c.-à-d. cellules dynamiques avec régénération de la charge propre à chaque cellule de mémoire, c.-à-d. rafraîchissement interne

Détention brevets de la classe G11C 11/402

Brevets de cette classe: 220

Historique des publications depuis 10 ans

5
10
12
19
24
27
34
22
18
8
2016 2017 2018 2019 2020 2021 2022 2023 2024 2025

Propriétaires principaux

Proprétaire
Total
Cette classe
Micron Technology, Inc.
26264
53
Zeno Semiconductor, Inc.
250
33
Samsung Electronics Co., Ltd.
146811
28
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
11428
13
Intel Corporation
47033
8
SK Hynix Inc.
11399
8
Apple Inc.
55174
7
Rambus Inc.
2374
7
Pure Storage, Inc.
2747
6
Changxin Memory Technologies, Inc.
4926
5
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.
42945
3
Unisantis Electronics Singapore Pte. Ltd.
657
3
Kepler Computing Inc.
304
3
Beijing Superstring Academy of Memory Technology
298
3
Mimirip LLC
1433
3
International Business Machines Corporation
61305
2
Tokyo Electron Limited
12762
2
Macronix International Co., Ltd.
2560
2
Atomera Incorporated
238
2
Nanya Technology Corporation
2480
2
Autres propriétaires 27