- Sections
- G - Physique
- G11C - Mémoires statiques
- G11C 11/402 - Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliersÉléments d'emmagasinage correspondants utilisant des éléments électriques utilisant des dispositifs à semi-conducteurs utilisant des transistors formant des cellules nécessitant un rafraîchissement ou une régénération de la charge, c.-à-d. cellules dynamiques avec régénération de la charge propre à chaque cellule de mémoire, c.-à-d. rafraîchissement interne
Détention brevets de la classe G11C 11/402
Brevets de cette classe: 220
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
Proprétaire |
Total
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Cette classe
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Micron Technology, Inc. | 26264 |
53 |
Zeno Semiconductor, Inc. | 250 |
33 |
Samsung Electronics Co., Ltd. | 146811 |
28 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11428 |
13 |
Intel Corporation | 47033 |
8 |
SK Hynix Inc. | 11399 |
8 |
Apple Inc. | 55174 |
7 |
Rambus Inc. | 2374 |
7 |
Pure Storage, Inc. | 2747 |
6 |
Changxin Memory Technologies, Inc. | 4926 |
5 |
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 42945 |
3 |
Unisantis Electronics Singapore Pte. Ltd. | 657 |
3 |
Kepler Computing Inc. | 304 |
3 |
Beijing Superstring Academy of Memory Technology | 298 |
3 |
Mimirip LLC | 1433 |
3 |
International Business Machines Corporation | 61305 |
2 |
Tokyo Electron Limited | 12762 |
2 |
Macronix International Co., Ltd. | 2560 |
2 |
Atomera Incorporated | 238 |
2 |
Nanya Technology Corporation | 2480 |
2 |
Autres propriétaires | 27 |