- Sections
- C - Chimiemétallurgie
- C23C - Revêtement de matériaux métalliquesrevêtement de matériaux avec des matériaux métalliquestraitement de surface de matériaux métalliques par diffusion dans la surface, par conversion chimique ou substitutionrevêtement par évaporation sous vide, par pulvérisation cathodique, par implantation d'ions ou par dépôt chimique en phase vapeur, en général
- C23C 16/448 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour produire des courants de gaz réactifs, p. ex. par évaporation ou par sublimation de matériaux précurseurs
Détention brevets de la classe C23C 16/448
Brevets de cette classe: 1414
Historique des publications depuis 10 ans
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2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 | 2025 |
Propriétaires principaux
Proprétaire |
Total
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Cette classe
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Applied Materials, Inc. | 18658 |
102 |
Tokyo Electron Limited | 12733 |
102 |
Lam Research Corporation | 5252 |
57 |
ASM IP Holding B.V. | 2078 |
56 |
Entegris, Inc. | 1869 |
50 |
L'Air Liquide, Societe Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procedes Georges Claude | 3985 |
36 |
Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | 5662 |
32 |
HORIBA STEC, Co., Ltd. | 336 |
29 |
Kokusai Electric Corporation | 2020 |
29 |
Versum Materials US, LLC | 642 |
23 |
Aixtron SE | 319 |
20 |
Fujikin Incorporated | 694 |
20 |
Samsung Electronics Co., Ltd. | 146346 |
19 |
Commissariat à l'énergie atomique et aux energies alternatives | 10912 |
19 |
King Fahd University of Petroleum and Minerals | 1201 |
17 |
Beneq Oy | 249 |
15 |
Flosfia Inc. | 233 |
15 |
Samsung Display Co., Ltd. | 34798 |
13 |
TMEIC Corporation | 777 |
11 |
Jiangsu Favored Nanotechnology Co., LTD | 162 |
10 |
Autres propriétaires | 739 |