A die-attach process that creates a bond strength sufficient to hold a die to a substrate while it is handled before being permanently attached is disclosed. The die-attach process includes forming locking features in a metal layer of a substrate so a bond at the die-substrate interface is strengthened. The locking features may include a plurality of cavities or slots formed in a metal layer of the substrate. The cavities and slots can increase a surface area and provide anchor points for a die-attach film placed between the die and the substrate.
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 23/373 - Refroidissement facilité par l'emploi de matériaux particuliers pour le dispositif
An imaging system may include a silicon photomultiplier with single-photon avalanche diodes (SPADs). The imaging system may be a LIDAR imaging system with LIDAR processing circuitry. To reduce memory requirements in the LIDAR processing circuitry, a dynamic resolution storage scheme may be used. The LIDAR processing circuitry may include autonomous dynamic resolution circuitry that receives input from a time-to-digital converter (TDC). The autonomous dynamic resolution circuitry may include a plurality of memory banks having different resolutions. Based on the magnitude of the input from the TDC, an appropriate memory bank may be selected. In parallel, an address encoder may select a memory bin based on the input from the TDC.
G01S 7/4865 - Mesure du temps de retard, p.ex. mesure du temps de vol ou de l'heure d'arrivée ou détermination de la position exacte d'un pic
G01S 7/481 - Caractéristiques de structure, p.ex. agencements d'éléments optiques
G01S 17/10 - Systèmes déterminant les données relatives à la position d'une cible pour mesurer la distance uniquement utilisant la transmission d'ondes à modulation d'impulsion interrompues
Implementations of a pad for an image sensor may include a pad base coupled in a pad opening formed in an image sensor die and a layer of metal directly coupled to the pad base extending to a top surface of the pad opening. The pad base may directly couple with a first metallization layer of the image sensor die.
In a general aspect, an electroplating system (100) includes a vessel (105), an electrolytic plating solution (110) in the vessel, a cathode terminal (120), a first anode terminal (130) and a second (140) anode terminals, a first variable power supply (135), and a second variable power supply (145). The cathode terminal is configured to electrically connect with a workpiece (125) that is submerged in the electrolytic plating solution. The first anode terminal is in the electrolytic plating solution on a first side of the workpiece. The second anode terminal is in the electrolytic plating solution on a second side of the workpiece opposite the first side. The first variable power supply coupled between the cathode terminal and the first anode terminal. The second variable power supply coupled between the cathode terminal and the second anode terminal.
C25D 17/00 - PROCÉDÉS POUR LA PRODUCTION ÉLECTROLYTIQUE OU ÉLECTROPHORÉTIQUE DE REVÊTEMENTS; GALVANOPLASTIE; JONCTION DE PIÈCES PAR ÉLECTROLYSE; APPAREILLAGES À CET EFFET Éléments structurels, ou leurs assemblages, des cellules pour revêtement électrolytique
Devices and methods are disclosed for high power inverter modules (100) with enhanced thermal and mechanical performance, for use in electric vehicles. The disclosed devices feature enlarged clips (108) that cover an entire die (104), to distribute mechanical forces, thus preventing die cracks for improved reliability. In these power modules, semiconductor dies (104) are sandwiched between a three-layer direct bond metal (DBM) structure (102) and the enlarged clip. A pre-molded clip assembly (105) can be used that includes integrated metalliization (107) to eliminate the need for external wire bonds. Alternatively, semiconductor dies (104) can be inverted in a flip-chip configuration (701) to face a modified DBM structure (702) that integrates the metallization (707). Simulations of the disclosed power inverters indicate improved efficiency in dissipating heat.
Implementations of semiconductor packages may include: a semiconductor die having a first side and a second side. A first side of an optically transmissive lid may be coupled to the second side of the semiconductor die through one or more dams. The packages may also include a light block material around the semiconductor package extending from the first side of the semiconductor die to a second side of the optically transmissive lid. The package may include an opening in the light block material on the second side of the optically transmissive lid that substantially corresponds with an active area of the semiconductor die.
H01L 21/56 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
7.
IGNITER CIRCUIT HAVING AN ADJUSTABLE OVER DWELL TIME
An ignition system may include an igniter circuit to control the current in a coil supplied by a battery based on an input signal from an engine control unit. To prevent overheating, the igniter circuit may be configured to shut down the current in the coil when the input signal is held high for an over dwell period. The disclosed igniter circuit is configured with circuitry to automatically adjust the over dwell period used based on a condition of the battery to prevent overheating without prematurely shutting down. The automatic adjustment includes indirectly monitoring the battery condition based on a current or a voltage of a switching device coupled to the coil.
Implementations of an object file for modeling using a three dimensional modeling module may include a first object defined as a root object, the first object corresponding with a first component of a semiconductor package; a second object corresponding with a second component of the semiconductor package directly physically coupled to the first component of the semiconductor package, the second object including a reference to the root object; and at least a third object corresponding with a third component of the semiconductor package, the third object including a reference to the root object, the third component of the semiconductor package directly coupled with a fourth component of the semiconductor package indirectly physically coupled to the second component of the semiconductor package.
G06F 30/31 - Saisie informatique, p.ex. éditeurs spécifiquement adaptés à la conception de circuits
G06F 111/20 - CAO de configuration, p.ex. conception par assemblage ou positionnement de modules sélectionnés à partir de bibliothèques de modules préconçus
9.
SEMICONDUCTOR PACKAGE MODEL GENERATION SYSTEMS AND RELATED METHODS
Implementations of an object file for modeling using a three dimensional modeling module may include a first object defined as a root object, the first object corresponding with a first component of a semiconductor package; a second object corresponding with a second component of the semiconductor package directly physically coupled to the first component of the semiconductor package, the second object including a reference to the root object; and at least a third object corresponding with a third component of the semiconductor package, the third object including a reference to the root object, the third component of the semiconductor package directly coupled with a fourth component of the semiconductor package indirectly physically coupled to the second component of the semiconductor package.
A semiconductor device package may include a leadframe having a first portion with first extended portions and a second portion with second extended portions. Mold material may encapsulate a portion of the leadframe and a portion of a semiconductor die mounted to the leadframe. A first set of contacts of the semiconductor die may be connected to a first surface of the first extended portions, while a second set of contacts may be connected to a first surface of the second extended portions. A mold-locking cavity having the mold material included therein may be disposed in contact with a second surface of the first extended portions opposed to the first surface of the first extended portions, a second surface of the second extended portions opposed to the first surface of the second extended portions, the first portion of the leadframe, and the second portion of the leadframe.
H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p.ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
H01L 23/482 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes formées de couches conductrices inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
H01L 23/544 - Marques appliquées sur le dispositif semi-conducteur, p.ex. marques de repérage, schémas de test
A system may include a hybrid analog-to-digital converter (ADC) that forms a flash ADC in a first mode and a delta-sigma ADC is a second mode. The flash ADC may provide output resulting from a coarse analog-to-digital conversion. The output from the coarse analog-to-digital conversion may be used to configure the delta-sigma ADC to perform a fine analog-to-digital conversion.
A switching regulator is disclosed that includes a driver having a driver-wake circuit configured to report its readiness for operation during a startup period. The driver-wake circuit can operate during startup by temporarily drawing power from the controller's power supply until the driver's power supply has reached a level sufficient to power the driver-wake circuit. The driver-wake circuit is configured to communicate the status of the driver's power supply during startup over a pin typically used to communicate temperature. Thus, the disclosed driver can communicate status during startup without needing extra pins, and because the circuitry is automatically disconnected after startup, very little additional power is consumed.
H02M 1/088 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques pour la commande simultanée de dispositifs à semi-conducteurs connectés en série ou en parallèle
H02M 1/32 - Moyens pour protéger les convertisseurs autrement que par mise hors circuit automatique
H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
Shielded gate semiconductor devices are disclosed for use in high power applications such as electric vehicles and industrial applications. The devices are formed as mesa (106)/trench (400) structures in which shielded gate electrodes are formed in the trenches. Various trench structures (400, 500, 600, 700) are presented that include tapered portions (401) and end tabs (502, 602, 702, 802) that can be beneficial in managing the distribution of electric charge and associated electric fields. The tapered trenches (400) can be used to increase and stabilize breakdown voltages in a termination region (104) of a semiconductor die (100).
H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
H01L 29/49 - Electrodes du type métal-isolant-semi-conducteur
14.
ISOLATED 3D SEMICONDUCTOR DEVICE PACKAGE WITH TRANSISTORS ATTACHED TO OPPOSING SIDES OF LEADFRAME SHARING LEADS
Described implementations provide wireless, surface mounting of at least two semiconductor devices on opposed surfaces of a leadframe, to provide an isolated, three-dimensional (3D) configuration. The described implementations minimize electrical failures, even for very high voltage applications, while enabling low inductance and high current. Resulting semiconductor device packages have mounting surfaces that provide desired levels of isolation and insulation, while still enabling straightforward mounting techniques, such as soldering, as well as high levels of thermal reliability.
H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p.ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes
H01L 23/13 - Supports, p.ex. substrats isolants non amovibles caractérisés par leur forme
H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
15.
METHOD AND APPARATUS FOR SENSING THE INPUT VOLTAGE OF A POWER CONVERTER
A method of detecting zero crossings in an AC input voltage at an input of a power converter, including measuring, at a first time, a first voltage. If the first voltage is positive, the method may include determining that the first time corresponds to a positive half-cycle of the AC input voltage. If the first voltage is equal to approximately zero: a) determining that the first time corresponds to a negative half-cycle of the AC input voltage; b) turning on a high-side switch of the power converter for a first time period; and c) measuring, during the first time period, a second voltage. If the second voltage is less than a first threshold, turning off the high-side switch and repeating b) and c) after a time delay. If the second voltage is less than a second threshold, maintaining the high-side switch in an ON state for a second time period.
H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation
H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
H02M 1/32 - Moyens pour protéger les convertisseurs autrement que par mise hors circuit automatique
H02M 1/42 - Circuits ou dispositions pour corriger ou ajuster le facteur de puissance dans les convertisseurs ou les onduleurs
H02M 7/219 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant continu sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs dans une configuration en pont
16.
IMAGE SENSOR PACKAGE HAVING A LIGHT BLOCKING MEMBER
According to an aspect, an image sensor package includes a substrate, an image sensor die coupled to the substrate, and a transparent member including a first surface and a second surface, where the second surface of the transparent member is coupled to the image sensor die via one or more dam members such that an empty space exists between an active area of the image sensor die and the second surface of the transparent member. The image sensor package includes a light blocking member coupled to or defined by the transparent member.
A module includes an assembly of a semiconductor device die coupled to a lead frame. A board is disposed below the lead frame. The board includes a plated-through hole (PTH) aligned with an opening in the lead frame above the board. The module further includes a mold body encapsulating at least a portion of the assembly. The mold body includes a through-mold via (TMV) aligned with the opening in the lead frame and with the PTH. The PTH is physically accessible from outside the mold body through the TMV and the opening in the lead frame.
H01L 21/56 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
A controller for a power converter for providing an output voltage across a load by modulating a current through an inductive element includes a pulse width modulator stage, a droop signal generation circuit, and a first summing device. The pulse width modulator stage is configured to modulate current into the inductive element in response to an error signal. The droop signal generation circuit is configured to form an alternating current (AC) droop signal in response to controlling a current feedback signal indicative of a current through the inductive element, and to provide a droop signal in response to the AC droop signal. The first summing device is configured to provide the error signal in response to a difference between a sum of a voltage feedback signal and the droop signal, and a reference voltage.
H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation
H02M 1/088 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques pour la commande simultanée de dispositifs à semi-conducteurs connectés en série ou en parallèle
19.
PACKAGE COMPRISING A DIRECT BONDED METAL SUBSTRATE AND A COOLING JACKET, METHOD OF FORMING THE PACKAGE AND A DIRECT BONDED METAL SUBSTRATE
A package includes a semiconductor die (15) disposed on a three-layer substrate (100). The three-layer substrate includes a ceramic layer (100-2) disposed between a top metal layer (100-2) and a bottom metal layer (10-3). The semiconductor die is disposed on the top metal layer. An array of mesas (10, 12) is defined in the bottom metal layer with grooves (11) between the mesas forming a path (P) for cooling fluid flow across a surface of the bottom metal layer.
H01L 23/373 - Refroidissement facilité par l'emploi de matériaux particuliers pour le dispositif
C04B 37/00 - Liaison des articles céramiques cuits avec d'autres articles céramiques cuits ou d'autres articles, par chauffage
H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
H01L 23/473 - Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de la température impliquant le transfert de chaleur par des fluides en circulation par une circulation de liquides
H01L 23/433 - Pièces auxiliaires caractérisées par leur forme, p.ex. pistons
Implementations of a method of electroless deposition may include providing a semiconductor substrate including a first largest planar surface and a second largest planar surface; forming a backmetal layer on the second largest planar surface; attaching a tape over the backmetal layer; and electroless depositing a metal layer on a pad included on the first largest planar surface. The method may include, after electroless depositing, removing the tape; and after removing the tape, baking the semiconductor substrate.
H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
21.
POWER MODULE PACKAGE WITH MOLDED VIA AND DUAL SIDE PRESS-FIT PIN
A module (100, 700) includes an assembly of a semiconductor device die (110) coupled to a lead frame (120, 130, 720, 730). A board (150) is disposed below the lead frame. The board includes a plated-through hole (PTH) (162, 762) aligned with an opening (132, 732) in (the lead frame above the board. The module further includes a mold body (150) encapsulating at least a portion of the assembly. The mold body (150) includes a through-mold via (TMV) (160, 760-1, 760-2) aligned with the opening in the lead frame and with the PTH (162, 732). The PTH is physically accessible from outside the mold body through the TMV (160, 760-1, 760-2) and the opening in the lead frame.
Implementations of a method of increasing the adhesion of a tape. Implementations may include: mounting a tape to a frame, mounting a substrate to the tape, heating the tape after mounting the substrate at one or more temperatures for a predetermined period of time, and increasing an adhesion of the tape to the substrate through heating the tape.
H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
H01L 21/78 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
23.
SWITCHING POWER CONVERTERS, AND METHODS AND PRIMARY-SIDE CONTROLLERS FOR CONTROLLING SAME
Switching power converters, and methods and primary-side controllers for controlling same. One example is a method of controlling a switching power converter, the method comprising: asserting drive signals applied to a primary switch during a plurality of switching periods; during a first switching period, controlling assertion of a first drive signal based on a sample held by a first capacitor, sampling instantaneous output voltage with a second capacitor, and pre-charging a third capacitor; during a second switching period, controlling assertion of a second drive signal based on a sample held by the second capacitor, sampling instantaneous output voltage with the third capacitor, and pre-charging the first capacitor; and during a third switching period, controlling assertion of a third drive signal based on a sample held by the third capacitor, sampling instantaneous output voltage with the first capacitor, and pre-charging the second capacitor.
H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
An image sensor may perform hybrid pixel binning. In pixel binning, pixel values from multiple pixels are combined into a single representative binning value. In a hybrid pixel binning scheme, different pixel groups may be binned in different ways in a single image sensor. When the range of values in a pixel group is low (indicating a flat surface), a mean or median binning scheme may be used. When the range of values in a pixel group is high (indicating an edge), a spatial weighting binning scheme may be used. When a pixel group has an intermediate range, a blend of the median/mean and spatial weighting may be used to avoid undesired blinking in the binning output. The hybrid binning scheme may reduce noise while still preserving high-frequency detail.
A package includes a semiconductor die disposed on a three-layer substrate. The three-layer substrate includes a ceramic layer disposed between a top metal layer and a bottom metal layer. The semiconductor die is disposed on the top metal layer. An array of mesas is defined in the bottom metal layer with grooves between the mesas forming a path for cooling fluid flow across a surface of the bottom metal layer.
H01L 23/473 - Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de la température impliquant le transfert de chaleur par des fluides en circulation par une circulation de liquides
H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p.ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
26.
STRUCTURES AND METHODS FOR SOURCE-DOWN VERTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE
A semiconductor device includes a region of semiconductor material having a first side and a second side opposite to the first side. Active device structures are adjacent to the first side, the active device structures comprising source regions and gate electrodes. A first gate conductor is at the first side electrically connected to the gate electrodes, a drain region is at the second side, a second gate conductor is at the second side, and through-semiconductor vias extending from the first side towards the side and electrically connecting the first gate electrode to the second gate electrode. A source electrode is at the first side electrically connected to the source regions, and a drain electrode is at the second side electrically connected to the drain region. The through-semiconductor vias are electrically isolated from the source regions and the drain region. The structure provides a gate/drain up with a source-down configuration.
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H01L 21/3065 - Gravure par plasma; Gravure au moyen d'ions réactifs
H01L 21/78 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
H01L 23/48 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
27.
HEMT DEVICES WITH REDUCED SIZE AND HIGH ALIGNMENT TOLERANCE
A High Electron Mobility Transistor (HEMT) includes a source, a drain, a channel layer extending between the source and the drain, a barrier layer formed in contact with the channel layer, and extending between the source and the drain, and a gate formed in contact with, and covering at least a portion of, the barrier layer. The gate has gate edge portions and a gate central portion, and dielectric spacers may be formed over the gate edge portions, with the dielectric spacers having a first width therebetween proximal to the gate, and a second width therebetween distal from the gate, where the second width is longer than the first width.
H01L 29/778 - Transistors à effet de champ avec un canal à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p.ex. transistors à effet de champ à haute mobilité électronique HEMT
H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
H01L 29/20 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
An image sensor may include a pixel array and associated readout paths calibration circuitry. The image sensor may include first column readout circuits formed along a first edge of the pixel array and second column readout circuits formed along a second opposing edge of the pixel array. The readout paths calibration circuitry may include one or more first calibration readout circuits located by the first edge of the array, one or more second calibration readout circuits located by the second edge of the array, and an error detection circuit configured to output an error signal based on signals output from the one or more first calibration readout circuits and the one or more second calibration readout circuits. The one or more second calibration readout circuits and the second column readout circuits can receive a reference voltage that is dynamically adjusted based on the error signal.
G06T 7/80 - Analyse des images capturées pour déterminer les paramètres de caméra intrinsèques ou extrinsèques, c. à d. étalonnage de caméra
H04N 25/633 - Traitement du bruit, p.ex. détection, correction, réduction ou élimination du bruit appliqué au courant d'obscurité en utilisant des pixels noirs optiques
H04N 25/78 - Circuits de lecture pour capteurs adressés, p. ex. amplificateurs de sortie ou convertisseurs A/N
29.
SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICES
In an example, a semiconductor device includes a semiconductor substrate of a first conductivity type and a semiconductor region of the first conductivity type over the semiconductor substrate. A well region of a second conductivity type is in the semiconductor region. A doped region of the first conductivity type is in the well region. A doped region of the second conductivity type is in the well region. A doped region of the second conductivity type is in the semiconductor substrate at a bottom side. A doped region of the first conductivity type is in the semiconductor substrate at the bottom side. A first conductor is at a top side of the semiconductor region and a second conductor is at the bottom side. In some examples, one or more of doped regions at the bottom side is a patterned doped region.
H01L 27/02 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
H01L 27/092 - Transistors à effet de champ métal-isolant-semi-conducteur complémentaires
Implementations of a semiconductor device may include a photodiode included in a second epitaxial layer of a semiconductor substrate; light shield coupled over the photodiode; and a first epitaxial layer located in one or more openings in the light shield. The first epitaxial layer and the second epitaxial layer may form a single crystal.
An image sensor may include an array of pixels arranged in rows and columns. Each pixel can include a subpixel circuit and one or more subtraction circuits. Each subpixel circuit can be selectively coupled to neighboring subpixel circuits in the same row via horizontal odd and even switches and can be selectively coupled to neighboring subpixel circuits in the same column via vertical odd and even switches. The horizontal and vertical switches can be turned on in separate phases to store difference values from pairs of neighboring subpixels into the one or more subtraction circuits. The difference values can be read out using comparators and one or more shift registers to output an edge image that includes only edge information.
H04N 25/443 - Extraction de données de pixels provenant d'un capteur d'images en agissant sur les circuits de balayage, p.ex. en modifiant le nombre de pixels ayant été échantillonnés ou à échantillonner en lisant partiellement une matrice de capteurs SSIS en lisant les pixels de zones 2D sélectionnées de la matrice, p. ex. pour le fenêtrage ou le zoom numérique
H04N 25/673 - Traitement du bruit, p.ex. détection, correction, réduction ou élimination du bruit appliqué au bruit à motif fixe, p.ex. non-uniformité de la réponse pour la détection ou la correction de la non-uniformité en utilisant des sources de référence
In some aspects, the techniques described herein relate to an electronic device including: a substrate; a metallization layer, the metallization layer having: a first surface disposed on the substrate; a second surface opposite the first surface; and a corrosion-prevention implant layer disposed in the metallization layer, the corrosion-prevention implant layer extending from the second surface to a depth from the second surface in the metallization layer, the depth being less than a thickness of the metallization layer; and an electrical connector coupled with the second surface.
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
A semiconductor device component includes a contact pad disposed on a surface of a semiconductor substrate, a seed metal layer disposed on the contact pad, and an interconnect disposed on the seed metal layer. The seed metal layer has a width that is greater than the width of the interconnect with a footer portion of the seed metal layer extending outside the width of the interconnect. The semiconductor device component further includes an etch-resistant protective structure disposed on surfaces of the interconnect and the footer portion of the seed metal layer extending outside the width of the interconnect.
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
34.
RESET OUTPUT WITH OPEN DRAIN CONFIGURATION FOR FUNCTIONAL SAFETY (FUSA) APPLICATIONS
Reset output with open drain configuration for functional safety (FUSA) applications. Example embodiments include methods of operating an output of an integrated circuit (IC) including determining an error condition in the IC; generating a reset signal based on the determining the error condition in the IC; selectively conducting, by a field-effect transistor (FET), a first current between an output terminal and a ground terminal of the IC to drive the output terminal to a low voltage state, and thereby signaling the error condition in the IC; conducting a second current between a signal terminal of the IC and a gate of the FET to drive the FET to a conductive state; and selectively driving, in response to the reset signal, the FET to a non-conductive state.
A semiconductor device component includes a contact pad (12) disposed on a surface of a semiconductor substrate (10), a seed metal layer (14) disposed on the contact pad, and an interconnect disposed on the seed metal layer. The seed metal layer has a width that is greater than the width of the interconnect with a footer portion (14F) of the seed metal layer extending outside the width of the interconnect. The semiconductor device component further includes an etch-resistant protective structure (18) disposed on surfaces of the interconnect and the footer portion of the seed metal layer extending outside the width of the interconnect.
H01L 23/48 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
A device may include a contactor pad having a first side and a second side. A device may include an opening extending through the contactor pad from the first side to the second side, the opening being configured to receive at least a portion of a socket assembly associated with automated test equipment (ATE) for a semiconductor device. A device may include retaining members disposed on the first side and adjacent to respective edges of the opening, the retaining members being configured to removably secure the socket assembly in the opening.
An apparatus for controlling a power converter operable to receive a cyclically varying input signal includes a discrete-time, on-time generator coupled to the power converter and configured to regulate an output voltage of the power converter and a controller configured to compare the output voltage of the power converter against a first predetermined range to: obtain a comparison result at a zero-crossing of the cyclically varying input signal and select one of a plurality of operation levels of the discrete-time, on-time generator in response to the comparison result. The plurality of operation levels includes a linear, discrete-time operation level and a nonlinear, discrete-time operation level.
H02M 1/42 - Circuits ou dispositions pour corriger ou ajuster le facteur de puissance dans les convertisseurs ou les onduleurs
H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation
H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
H02M 3/157 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation avec commande numérique
H02M 7/5388 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs, p.ex. onduleurs à impulsions à un seul commutateur dans une configuration en pont avec configuration asymétrique des commutateurs
Image sensor pixels, imaging systems, and methods for constructing image sensor pixels. The image sensor pixel includes a photosensitive region, a charge storage node, a deep trench isolation, and a spectral router. The charge storage node is positioned on a back-side of the photosensitive region. The deep trench isolation extends from a front-side of the photosensitive region toward the charge storage node. The spectral router is positioned on the front-side of the photosensitive region. The spectral router is configured to route photons of a first wavelength received at the spectral router into the photosensitive region and away from the charge storage node. The spectral router is also configured to route photons of a second wavelength received at the spectral router to one or more neighboring image sensor pixels.
A semiconductor device may include a first chip that includes a first wafer and a first dielectric layer disposed thereon. The semiconductor device may include a second chip that includes a second wafer and a second dielectric layer disposed thereon, the second chip having a backside surface and a frontside surface opposed to the backside surface, the second chip being bonded to the first chip at the frontside surface to define a bond line between the first dielectric layer and the second dielectric layer. An opening through the backside surface of the second chip may extend into the second dielectric layer, and a bond pad may be disposed within the second dielectric layer between the second wafer and the bond line.
Multi-phase switching power converter. At least one example is a method of operating a multi-phase power converter, the method comprising: operating, by a voltage regulator, a first phase of the multi-phase power converter at a frequency and a first phase-relationship, the first phase comprising first and second power modules; operating, by the voltage regulator, a second phase of the multi-phase power converter at the frequency and a second phase-relationship different than the first phase-relationship, the second phase comprising third and fourth power modules; at least partially balancing current, by the voltage regulator, as between the first phase and the second phase by controlling a first or second duty cycles, respectively; and at least partially balancing current as between the first and second power modules of the first phase based on a local-sharing signal coupled between the first and second power modules.
H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
A high-power semiconductor device module (100) is implemented with a cavity (112) in the molding package (110). The cavity (112) reduces a volume of the molding compound, preventing an accumulation of stress in the module (100), and associated warpage of the molding package (110). Chip assemblies (106) within the module (100) are designed to fit within the cavity (112), so that semiconductor dies, and sensing devices (204) therein are protected from damage during a sintering process in which the module (100) is mounted to a heat sink. After the sintering process, the cavity (112) can be sealed with a gel material (114). The molding package (110) described herein can also enhance reliability of the module (100) during operation, ensuring that the product is robust for electric and hybrid electric vehicle applications.
H01L 23/047 - Conteneurs; Scellements caractérisés par la forme le conteneur étant une structure creuse ayant une base conductrice qui sert de support et en même temps de connexion électrique pour le corps semi-conducteur les autres connexions étant parallèles à la base
H01L 23/24 - Matériaux de remplissage caractérisés par le matériau ou par ses propriétes physiques ou chimiques, ou par sa disposition à l'intérieur du dispositif complet solide ou à l'état de gel, à la température normale de fonctionnement du dispositif
H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
A high-power semiconductor device module is implemented with a cavity in the molding package. The cavity reduces a volume of the molding compound, preventing an accumulation of stress in the module, and associated warpage of the package. Chip assemblies within the module are designed to fit within the cavity, so that semiconductor dies, and sensing devices therein are protected from damage during a sintering process in which the module is mounted to a heat sink. After the sintering process, the cavity can be sealed with a gel material. The molding package described herein can also enhance reliability of the module during operation, ensuring that the product is robust for electric and hybrid electric vehicle applications.
H01L 21/56 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
H01L 21/477 - Traitement thermique pour modifier les propriétés des corps semi-conducteurs, p.ex. recuit, frittage
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 23/373 - Refroidissement facilité par l'emploi de matériaux particuliers pour le dispositif
A system is provided that is configured to encode an image in accordance with a variable resolution image format. The variable resolution image format allows the specification of a number of windows in terms of their location and resolution. The image can be decomposed into a minimum number of square superpixels such that all specified windows are at the assigned resolution or better. By encoding one image where only critical portions are at the high resolution while less critical portions are at intermediate or lower resolutions, the number of bits that need to be transmitted from the system to a remote host subsystem can be dramatically reduced.
H04N 23/45 - Caméras ou modules de caméras comprenant des capteurs d'images électroniques; Leur commande pour générer des signaux d'image à partir de plusieurs capteurs d'image de type différent ou fonctionnant dans des modes différents, p. ex. avec un capteur CMOS pour les images en mouvement en combinaison avec un dispositif à couplage de charge [CCD]
H04N 25/44 - Extraction de données de pixels provenant d'un capteur d'images en agissant sur les circuits de balayage, p.ex. en modifiant le nombre de pixels ayant été échantillonnés ou à échantillonner en lisant partiellement une matrice de capteurs SSIS
44.
METHOD OF FABRICATING SUPER-JUNCTION BASED VERTICAL GALLIUM NITRIDE JFET AND MOSFET POWER DEVICES
A vertical MOSFET includes a substrate and a first III-nitride layer of a first conductivity type and having a first dopant concentration coupled to the substrate. First trenches are within the first III-nitride layer. A second III-nitride structure of a second dopant concentration and a second conductivity type opposite to the first conductivity type are within the first trenches. A third III-nitride layer of the second conductivity type is coupled to the first III-nitride layer and the second III-nitride structure. A fourth III-nitride layer of the first conductivity type coupled to the third III-nitride layer. Second trenches are within the third and fourth III-nitride layers. A gate dielectric and a gate conductor are within the second trenches. A source conductor is coupled to an upper portion of the fourth III-nitride layer. The first III-nitride layer and the second III-nitride structure provide a charge balance structure.
In a general aspect, a packaged semiconductor device apparatus a conductive paddle, a semiconductor die coupled with the conductive paddle and a conductive clip having a first portion with a first thickness and a second portion with a second thickness. The first thickness can be greater than the second thickness. The first portion can be coupled with the semiconductor die. The device can also include a molding compound encapsulating the semiconductor die and at least partially encapsulating the conductive paddle and the conductive clip. The device can further include a signal lead that is at least partially encapsulated in the molding compound, the second portion of the conductive clip being coupled with the signal lead.
A fan out package (102) (202) (302-1) (302-2) (402-1) (402-2) (502-1) (502-2) (602) (702) (802-1) (802-2) (902-1) (902-2) (1002-1) (1002-2) may include a plurality of semiconductor dies (104) (204) (304) (404) (504) (604) (704) (804) (904) (1004), each of the semiconductor dies including a first surface and a second surface opposite to the first surface. The fan out package includes a redistribution layer (108) (208) (308) (408) (508) (608) (708) (808) (908) (1008) coupled to the first surface of each of the plurality of semiconductor dies, a dieback conductive member (106) (206) (306) (406) (506) (606) (706) (806) (906) (1006) coupled to the second surface of each of the plurality of semiconductors dies, and an encapsulation material (114) (214) (314) (414) (514) (614) (814) (914) (1014) coupled to the plurality of semiconductor dies and the dieback conductive member.
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 25/00 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
A fan out package may include a plurality of semiconductor dies, each of the semiconductor dies including a first surface and a second surface opposite to the first surface. The fan out package includes a redistribution layer coupled to the first surface of each of the plurality of semiconductor dies, a dieback conductive member coupled to the second surface of each of the plurality of semiconductors dies, and an encapsulation material coupled to the plurality of semiconductor dies and the dieback conductive member.
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 21/56 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 25/11 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs ayant des conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
Methods of forming semiconductor packages include providing a first insulator layer coupled with a first metallic layer. A recess is formed in the first metallic layer and a semiconductor die is mechanically coupled therein. The die is mechanically coupled with a second metallic layer and the second metallic layer is coupled with a second insulator layer. The die and layers are at least partially encapsulated to form the semiconductor package. The first and/or second metallic layers may be insulator-metal substrates, metal-insulator-metal (MIM) substrates, or may be formed of lead frames. In implementations the package does not include a spacer between the die and the first metallic layer and does not include a spacer between the die and the second metallic layer. In implementations the first insulator layer and the second insulator layer are exposed through the encapsulant or are mechanically coupled with metallic layers exposed through the encapsulant.
H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p.ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes
H01L 21/56 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
H01L 23/28 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
Implementations of semiconductor packages may include: a semiconductor die having a first side and a second side. A first side of an optically transmissive lid may be coupled to the second side of the semiconductor die through one or more dams. The packages may also include a light block material around the semiconductor package extending from the first side of the semiconductor die to a second side of the optically transmissive lid. The package may include an opening in the light block material on the second side of the optically transmissive lid that substantially corresponds with an active area of the semiconductor die.
H01L 21/56 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
An imager (300) is configured for capturing short-wavelength infrared (SWIR) images. The imager includes an optical sensor die (310) including a semiconductor substrate (312), at least one device (346) fabricated in the semiconductor substrate, a layer of colloidal quantum dots (CQD) photodetectors (340) disposed above of the semiconductor substrate, and an intermetal dielectric (IMD) layer (313) disposed on a bottom surface of the semiconductor substrate. The IMD layer includes at least a metal level (M1-M4) of a redistribution layer (RDL) (313M) of the optical sensor die.
H01L 31/0352 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails caractérisés par leurs corps semi-conducteurs caractérisés par leur forme ou par les formes, les dimensions relatives ou la disposition des régions semi-conductrices
H01L 31/101 - Dispositifs sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet
H04N 25/75 - Circuits pour fournir, modifier ou traiter des signaux d'image provenant de la matrice de pixels
H04N 25/79 - Agencements de circuits répartis entre des substrats, des puces ou des cartes de circuits différents ou multiples, p. ex. des capteurs d'images empilés
51.
SIGNALING OPEN DRAIN READBACK FOR FUNCTIONAL SAFETY (FUSA) APPLICATIONS IN POINT OF LOAD (POL) INTEGRATED CIRCUIT
Signaling open drain read back for functional safety (FUSA) applications in point of load (POL) integrated circuit. Example embodiments include methods of operating a point of load (POL) device, including: supplying power to a load via a power terminal; selectively conducting, by a field-effect transistor (FET), a current between a signal output terminal of the POL power supply device and a ground terminal of the POL power supply device to drive the signal output terminal to a low-voltage state, thereby communicating a signal; and detecting, by a monitoring circuit in the POL power supply, a status of the signal output terminal to determine whether an external device is communicating the signal on a shared communications line connected to the signal output terminal.
H02M 1/32 - Moyens pour protéger les convertisseurs autrement que par mise hors circuit automatique
H02M 3/155 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
52.
METHODS AND APPARATUS FOR REPETITIVE HISTOGRAMMING
Various embodiments of the present technology may provide methods and apparatus for repetitive histogramming. The apparatus may provide a limited number of physical bins to perform multiple histograms on a total number of virtual bins. The apparatus may provide a single physical bin that is used to sweep over the total number of virtual bins.
G01S 7/4861 - Circuits pour la détection, d'échantillonnage, d'intégration ou de lecture des circuits
G01S 17/10 - Systèmes déterminant les données relatives à la position d'une cible pour mesurer la distance uniquement utilisant la transmission d'ondes à modulation d'impulsion interrompues
G04F 10/00 - Appareils pour mesurer des intervalles de temps inconnus par des moyens électriques
53.
METHOD AND APPARATUS FOR DIGITAL, CLOSED-LOOP CONTROL OF CRCM SWITCH-MODE POWER CONVERTERS
A method of setting a synchronous rectifier on-time value includes determining that a time interval has occurred, receiving a number of triangular current mode (TCM) pulses measured during the time interval, and determining a pulse comparison value equal to a number of switching period pulses during the time interval minus the number of TCM pulses during the time interval. The method also includes increasing the synchronous rectifier on-time if the pulse comparison value is greater than or equal to a threshold and decreasing the synchronous rectifier on-time if the pulse comparison value is less than the threshold.
H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation
H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
H02M 1/32 - Moyens pour protéger les convertisseurs autrement que par mise hors circuit automatique
H02M 1/42 - Circuits ou dispositions pour corriger ou ajuster le facteur de puissance dans les convertisseurs ou les onduleurs
H02M 7/219 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant continu sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs dans une configuration en pont
Audio communication methods, devices, and systems are provided with an ultra-low latency communications protocol. One illustrative communication method suitable for a primary hearing instrument includes: transmitting a preamble packet to initiate a wireless connection; after receiving a preamble response packet, wirelessly sending a downlink stream of audio data frames; and wirelessly receiving an uplink stream of audio data frames. The audio data frames of the downlink stream and the uplink stream each consist of a message packet, a check packet, and multiple single-sample audio data packets, and these packets exclude any preambles or sync words. The audio data frame packets of the downlink stream and the uplink stream are interleaved with each other.
Clock sources, apparatuses, and methods for operating crystal oscillators. The method includes determining a first time value indicating an amount of time needed to return a trimming value of the crystal oscillator to a predetermined value. The method also includes determining a second time value indicating an amount of time remaining until a clock signal with a predetermined frequency precision is needed. The method further includes detecting that a difference between the first time value and the second time value is greater than or equal to a predetermined step time. The method also includes incrementing a precision reduction value when the difference between the first time value and the second time value is greater than or equal to the predetermined step time. The method further includes adjusting the trimming value of the crystal oscillator based on a difference between the predetermined value and the precision reduction value.
An image sensor may include an image sensor pixel array. The image sensor pixel array may include active image sensor pixels and non-active image sensor pixels. A line of image sensor pixels may be coupled to readout circuitry. The readout circuitry may use reset level signals from some of the image sensor pixels to obtain a digital average reset level value and may use the digital average reset level value to perform digital-domain correlated double sampling operations for digital image level values from active image sensor pixels in the line of image sensor pixels.
A multi-phase power converter includes a digital ramp pulse modulation controller, a digital constant on-time controller, and a driver stage. The digital ramp pulse modulation controller provides a trigger ramp signal in response to an error signal when the multi-phase power converter is not in a green mode, wherein at least a portion of the digital ramp pulse modulation controller is inactive in the green mode. The digital constant on-time controller provides on-time thresholds and off-time thresholds when the multi-phase power converter is in the green mode. The driver stage provides a plurality of drive signals to a corresponding plurality of power stages in response to the trigger ramp signal when the multi-phase power converter is not in the green mode and to the on-time thresholds and the off-time thresholds when the multi-phase power converter is in the green mode.
H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation
H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
58.
DISTRIBUTED ELECTROSTATIC DISCHARGE PROTECTION FOR SEMICONDUCTOR DEVICE
In a general aspect, a circuit includes a first ESD protection circuit having a first terminal and a second terminal, and a second ESD protection circuit having a first terminal and a second terminal. The second terminal of the second ESD protection circuit is coupled with the second terminal of the first ESD protection circuit. The circuit further includes a third ESD protection circuit having a first terminal and a second terminal. The second terminal of the third ESD protection circuit is coupled with the second terminal of the first ESD protection circuit and the second terminal of the second ESD protection circuit.
H02H 9/04 - Circuits de protection de sécurité pour limiter l'excès de courant ou de tension sans déconnexion sensibles à un excès de tension
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 27/02 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
An asymmetric amplifier circuit is disclosed. The amplifier circuit includes an input-stage circuit and an output-stage circuit. The input stage circuit can include a first terminal with a first input impedance and a second terminal with a second input impedance different than the first input impedance. The input-stage circuit may be configured to receive a first input signal on the first input terminal, receive a second input signal on the second input terminal, and generate a first amplified signal and a second amplified signal using the first input signal and the second input signal. The output-stage circuit may be configured to asymmetrically combine the first amplified signal and the second amplified signal to generate an output signal.
Image sensors, imaging systems, and methods for high dynamic range imaging. The image sensor includes image sensor pixels, a light filter, and a controller. The light filter is configured to attenuate transmission of incident light to the image sensor pixels. The controller is configured to set the light filter to a high-transmission state and capture a first image generated by the image sensor pixels during a first exposure. The controller is also configured to set the light filter to a low-transmission state and capture a second image generated by the image sensor pixels during a second exposure. The controller is further configured to combine the first and second images to generate a high dynamic range image. The controller is also configured to adjust an attenuation of the light filter for a next iteration of the low-transmission state based on pixel signals generated during the second exposure.
H04N 23/75 - Circuits de compensation de la variation de luminosité dans la scène en agissant sur la partie optique de la caméra
H04N 23/72 - Combinaison de plusieurs commandes de compensation
H04N 23/73 - Circuits de compensation de la variation de luminosité dans la scène en influençant le temps d'exposition
H04N 23/741 - Circuits de compensation de la variation de luminosité dans la scène en augmentant la plage dynamique de l'image par rapport à la plage dynamique des capteurs d'image électroniques
H04N 25/587 - Commande de la gamme dynamique impliquant plusieurs expositions acquises de manière séquentielle, p. ex. en utilisant la combinaison de champs d'image pairs et impairs
Operating a gate driver. At least one example is a method of operating the gate driver, the method comprising: de-asserting a drive-low terminal of the gate driver; starting a single timer within the gate driver; and after expiration of the single timer asserting a drive-high terminal of the gate driver responsive to assertion of an in-high terminal of the gate driver; and then de-asserting the drive-high terminal; starting the single timer; and after a second expiration of the single timer asserting the drive-low terminal responsive to assertion of an in-low terminal of the gate driver.
H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
H02M 7/537 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs, p.ex. onduleurs à impulsions à un seul commutateur
H03K 17/082 - Modifications pour protéger le circuit de commutation contre la surintensité ou la surtension par réaction du circuit de sortie vers le circuit de commande
62.
POWER MODULE UTILIZING INJECTABLE CONDUCTIVE COMPONENT FOR DIRECT COOLING
An injectable conductive component (114) can be used to couple a high-power semiconductor chip assembly (101) to a heat sink (106), in automotive and industrial applications. The injectable conductive component (114) provides a low-resistance interface material and also acts as a bonding agent (105). A cavity (113) bounded by the chip assembly (101) and the heat sink (106) can form a container for the injectable conductive component (114), which remains in a liquid phase during operation of the chip assembly (101). The container can be formed as a cavity (113) by either removing a portion of the heat sink (106), or by introducing a spacer between the chip assembly (101) and the heat sink (106), using a sealing material. The injectable conductive component (114) can be introduced into the cavity (113) by injection through a hole (116) formed in a back side of the heat sink (106).
H01L 23/373 - Refroidissement facilité par l'emploi de matériaux particuliers pour le dispositif
H01L 23/433 - Pièces auxiliaires caractérisées par leur forme, p.ex. pistons
H05K 7/20 - Modifications en vue de faciliter la réfrigération, l'aération ou le chauffage
H01L 23/14 - Supports, p.ex. substrats isolants non amovibles caractérisés par le matériau ou par ses propriétés électriques
H01L 23/10 - Conteneurs; Scellements caractérisés par le matériau ou par la disposition des scellements entre les parties, p.ex. entre le couvercle et la base ou entre les connexions et les parois du conteneur
H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
H01L 23/051 - Conteneurs; Scellements caractérisés par la forme le conteneur étant une structure creuse ayant une base conductrice qui sert de support et en même temps de connexion électrique pour le corps semi-conducteur une autre connexion étant constituée par le couvercle parallèle à la base, p.ex. du type "sandwich"
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 25/11 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs ayant des conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 23/367 - Refroidissement facilité par la forme du dispositif
H01L 23/40 - Supports ou moyens de fixation pour les dispositifs de refroidissement ou de chauffage amovibles
H01L 23/538 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants
An inductive sensor may track an angle of a movable element. In some cases, it is desirable to operate the inductive sensor using battery power so that turns are tracked properly even when power is lost. The disclosed inductive sensor includes circuitry to conserve power, such as a non-resonant driver that allows for fast measurements without wasting energy and a difference encoder that can estimate the angle within a range without the need for digitization and complicated processing.
G01D 5/20 - Moyens mécaniques pour le transfert de la grandeur de sortie d'un organe sensible; Moyens pour convertir la grandeur de sortie d'un organe sensible en une autre variable, lorsque la forme ou la nature de l'organe sensible n'imposent pas un moyen de conversion déterminé; Transducteurs non spécialement adaptés à une variable particulière utilisant des moyens électriques ou magnétiques influençant la valeur d'un courant ou d'une tension en faisant varier l'inductance, p.ex. une armature mobile
G01B 7/30 - Dispositions pour la mesure caractérisées par l'utilisation de techniques électriques ou magnétiques pour tester l'alignement des axes
G01P 3/44 - Dispositifs caractérisés par l'utilisation de moyens électriques ou magnétiques pour mesurer la vitesse angulaire
Implementations of a clip for a semiconductor package may include at least a first thinned portion coupled with a main portion, the at least first thinned portion extending in a first direction away from the main portion; and at least a second thinned portion coupled with the main portion, the at least second thinned portion extending in a second direction away from the main portion. The first direction may oppose the first direction and the at least first thinned portion may be configured to engage with a first thinned portion of a leadframe and the at least second thinned portion may be configured to engage with a second thinned portion of the leadframe to align the main portion in a desired orientation relative to the leadframe.
H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p.ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes
H01L 21/56 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
65.
POWER MODULE UTILIZING INJECTABLE CONDUCTIVE COMPONENT FOR DIRECT COOLING
An injectable conductive component can be used to couple a high-power semiconductor chip assembly to a heat sink, in automotive and industrial applications. The injectable conductive component provides a low-resistance interface material and also acts as a bonding agent. A cavity bounded by the chip assembly and the heat sink can form a container for the injectable conductive component, which remains in a liquid phase during operation of the chip assembly. The container can be formed as a cavity by either removing a portion of the heat sink, or by introducing a spacer between the chip assembly and the heat sink, using a sealing material. The injectable conductive component can be introduced into the cavity by injection through a hole formed in a back side of the heat sink.
H01L 23/367 - Refroidissement facilité par la forme du dispositif
H01L 23/04 - Conteneurs; Scellements caractérisés par la forme
H01L 23/42 - Choix ou disposition de matériaux de remplissage ou de pièces auxiliaires dans le conteneur pour faciliter le chauffage ou le refroidissement
A single side direct cooling (SSDC) package is disclosed for use in high-power electronic device modules in electric vehicles and industrial applications. The power modules route large currents through a set of metal power tabs instead of passing high currents through conductive layers of a direct bonded metal structure. By orienting the metal power tabs in a mini-heart design, stray inductance and resistance can both be reduced, thereby improving performance while simultaneously reducing the footprint of the high power module. In addition, wire bonds between chip assemblies in a high-power semiconductor device module can be replaced by solid metal clips that can better withstand high currents and voltages. The SSDC package incorporates the metal power tabs and provides heat dissipation via a metal base plate that includes a heat sink. The heat sink can be immersed in a cooling fluid to provide faster heat dissipation.
H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p.ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 23/367 - Refroidissement facilité par la forme du dispositif
H01L 23/473 - Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de la température impliquant le transfert de chaleur par des fluides en circulation par une circulation de liquides
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
A power module (100) is disclosed for use in electric vehicles and industrial applications. The power modules (100) route large currents through a set of metal power tabs (120, 122, 124) instead of passing high currents through conductive layers of a direct bonded metal structure (102). By orienting the metal power tabs (120, 122) in a mini-heart design, stray inductance and resistance can both be reduced, thereby improving performance while simultaneously reducing the footprint of the high power module (100). In addition, wire bonds (112) between chip assemblies (110) in a high-power semiconductor device module (100) can be replaced by solid metal clips (212) that can better withstand high currents and voltages. The SSDC package incorporates the metal power tabs and provides heat dissipation via a metal base plate (510) that includes a heat sink. The heat sink can be immersed in a cooling fluid to provide faster heat dissipation.
H01L 23/367 - Refroidissement facilité par la forme du dispositif
H01L 23/373 - Refroidissement facilité par l'emploi de matériaux particuliers pour le dispositif
H01L 23/473 - Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de la température impliquant le transfert de chaleur par des fluides en circulation par une circulation de liquides
H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
An image sensor package may include an image sensor die; an electromagnetic radiation transmissive cover coupled over the image sensor die; and a dam between the image sensor die and the electromagnetic radiation transmissive cover, the dam including a colored additive. The dam may form a space between the image sensor die and the electromagnetic radiation transmissive cover.
Implementations of methods of forming semiconductor packages may include coupling a plurality of die to a pad carrier that includes a carrier and a plurality of pads, wire bonding the plurality of die to the plurality of pads, applying a mold compound over the plurality of die, removing the carrier, and singulating a plurality of semiconductor packages.
H01L 21/56 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
Various implementations of a method of forming a semiconductor package may include forming a plurality of notches into the first side of a semiconductor substrate; applying a permanent coating material into the plurality of notches; forming a first organic material over the first side of the semiconductor substrate and the plurality of notches; thinning a second side of the semiconductor substrate opposite the first side one of to or into the plurality of notches; and singulating the semiconductor substrate through the permanent coating material into a plurality of semiconductor packages.
H01L 21/302 - Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p.ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes
H01L 21/56 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
H01L 21/78 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 23/12 - Supports, p.ex. substrats isolants non amovibles
H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
71.
SEMICONDUCTOR DEVICES WITH SINGLE-PHOTON AVALANCHE DIODES AND ISOLATION STRUCTURES
An imaging device may include single-photon avalanche diodes (SPADs). To mitigate crosstalk, isolation structures may be formed around each SPAD. The isolation structures may include front side deep trench isolation structures that extend partially or fully through a semiconductor substrate for the SPADs. The isolation structures may include a metal filler such as tungsten that absorbs photons. The isolation structures may include a p-type doped semiconductor liner to mitigate dark current. The isolation structures may include a buffer layer such as silicon dioxide that is interposed between the metal filler and the p-type doped semiconductor liner. The isolation structures may have a tapered portion or may be formed in two steps such that the isolation structures have different portions with different properties. An additional filler such as polysilicon or borophosphosilicate glass may be included in some of the isolation structures in addition to the metal filler.
A package (10) includes a semiconductor die (130) attached to a substrate (100) and a mold body (140) encapsulating the semiconductor die. A first portion of a lead (1-1, 2-1, 3-1) is directly bonded to a contact pad (SP, SSP, GP) on the semiconductor die with no intervening component between the first portion of the lead and the contact pad. A second portion of the lead extends outside the mold body to form an external terminal (1-0, 2-0, 3-0, 4-0, 5-0, 6-0, 7-0) of the package. The lead is a dual gauge lead with the first portion of the lead having a thickness perpendicular to the contact pad that is smaller than a thickness of the second portion of the lead extending outside the mold body.
Implementations of a product system model file generating system may include one or more hardware processors and a first interface generated by a computing device to receive from a user a selection of a product SPICE model for a product including at least one switch; using a second interface to receive from a user a selection of at least a partial soft switching process condition; using a third interface to receive from a user a selection of one or more system characteristics and one or more operating characteristics; using a fourth interface to receive from the user a selection of one or more circuit parameters including a simulation circuit including at least two switches; using a SPICE model simulation module to generate a SPICE model output; and using a formatting module to format the SPICE model output into a product system model file.
G06F 30/367 - Vérification de la conception, p.ex. par simulation, programme de simulation avec emphase de circuit intégré [SPICE], méthodes directes ou de relaxation
Imaging circuitry may include half-driver sub-circuits configured to support Mobile Industry Processor Interface (MIPI) D-PHY mode and C-PHY mode. Groups of two half-driver sub-circuits can be coupled together in the D-PHY mode, whereas groups of three half-driver sub-circuits can be coupled together in the C-PHY mode. Each half-driver sub-circuit can include one or more pull-up paths and one or more pull-down paths. Each half-driver sub-circuit can include multiple slices, a first portion of which can be operated to pull in a first direction and a second portion of which can be operated to pull in a second direction opposing the first direction to achieve the desired amount of equalization. The half-driver sub-circuits can be employed as the final driver stage of a shared data path architecture supporting both D-PHY and C-PHY modes. The shared data path can include serializers, pre-driver logic, and/or equalization enable blocks.
H04N 25/766 - Capteurs adressés, p.ex. capteurs MOS ou CMOS comprenant des lignes de commande ou de sortie utilisées pour une pluralité de fonctions, p. ex. pour la sortie, la commande, la réinitialisation ou l'alimentation des pixels
H04N 25/76 - Capteurs adressés, p.ex. capteurs MOS ou CMOS
H04N 25/767 - Lignes de lecture horizontales, multiplexeurs ou registres
A high-voltage chopper-stabilized amplifier can include two paths to compensate for non-ideal electrical parameters. A first path, leading to a primary input of the amplifier, may include a first mux interface circuit to limit voltages at the primary input of the amplifier. A second path, leading to an auxiliary input of the amplifier, may include a chopper amplifier circuit. Despite the first mux interface circuit, a slew condition on the first path may excite a current in the second path that can negatively affect the signal source. Accordingly, the disclosed amplifier further includes a second mux interface circuit that can decouple the second path while a slew condition. The second mux interface circuit is driven by a window floating comparator, which is supplied according to the voltages on primary input. A settling enhancer circuit keeps, during slew condition, certain nodes on the second path at a reference voltage.
H03F 3/393 - Amplificateurs de courant continu, comportant un modulateur à l'entrée et un démodulateur à la sortie; Modulateurs ou démodulateurs spécialement conçus pour être utilisés dans de tels amplificateurs comportant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs comportant des dispositifs à effet de champ
G01R 19/00 - Dispositions pour procéder aux mesures de courant ou de tension ou pour en indiquer l'existence ou le signe
A package includes a semiconductor die attached to a substrate and a mold body encapsulating the semiconductor die. A first portion of a lead is directly bonded to a contact pad on the semiconductor die with no intervening component between the first portion of the lead and the contact pad. A second portion of the lead extends outside the mold body to form an external terminal of the package. The lead is a dual gauge lead with the first portion of the lead having a thickness perpendicular to the contact pad that is smaller than a thickness of the second portion of the lead extending outside the mold body.
H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
H01L 21/56 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
In one general aspect, an apparatus can include a first trench disposed in a semiconductor region and including a gate electrode and a second trench disposed in the semiconductor region. The apparatus can include a mesa region disposed between the first trench and the second trench. The apparatus can include a source region segment of a first conductivity type disposed in a first side of the mesa region where the source region segment is included in a plurality of source region segments and where the plurality of source region segments are aligned along the longitudinal axis. The apparatus can include a body region segment of a second conductivity type disposed in a second side of the mesa region opposite the first side of the mesa region and having a portion disposed above the source region segment where the body region segment is included in a plurality of body region segments.
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H01L 29/417 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
78.
Method and system for entering and exiting a frequency clamp mode for variable frequency, offline switch-mode power converters
A controller for controlling a switching power converter having an input for receiving a periodic input signal and an output for providing a substantially constant output voltage to a load includes a monitor device configured to compare a switching time interval or a switching frequency with a predetermined threshold value to obtain a comparison result and a parameter recorder configured to record an entry criteria in response to the comparison result, wherein the entry criteria indicates a transition of the switching power converter from a variable switching frequency state to a constant switching frequency state.
H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
H02M 1/42 - Circuits ou dispositions pour corriger ou ajuster le facteur de puissance dans les convertisseurs ou les onduleurs
A rail-to-rail potentiostat may require an offset current in order to support a bidirectional work electrode current at a work electrode. This offset current may improve measurements of the work electrode current made a dual-slope analog-to-digital converter, especially when the work electrode current is small, but can also lead to inaccuracies (e.g., due to a temperature coefficient) if it is not properly calibrated. Accordingly, bidirectional potentiostat is disclosed that can be configured in a normal configuration for measurement of a work electrode current or a calibration configuration for measurement (i.e., calibration) of an offset current. The reconfigurability allows calibrations to be taken as needed, on a schedule, or as specified by a user. The reconfigurability can also allow for maintaining a work electrode voltage and a work electrode current during calibration so that an electrochemical experiment using a cell coupled to the bidirectional potentiostat is unaffected by the calibration.
H03F 3/347 - Amplificateurs de courant continu dans lesquels tous les étages sont couplés en courant continu comportant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs dans des circuits intégrés
80.
OUTPUT OVERVOLTAGE PROTECTION FOR A TOTEM POLE POWER FACTOR CORRECTION CIRCUIT
During a light load (or no-load) operation of a totem pole power factor correction circuit (i.e., PFC), a pulse width modulation (PWM) controller can operate in a skip mode. Further, the PWM controller may disable portions of the PFC to reduce standby power consumption. In this mode, and in this disabled configuration, the output of the PFC may be peak charged over time to a voltage that could be damaging or destructive. This peak charging results from the PFC circuit's inability to fully charge/discharge EMI capacitors between half cycles of the input line voltage. The present disclosure provides circuits and methods to fully charge/discharge the EMI capacitors to prevent peak charging the output.
Implementations of image sensor packages may include an image sensor chip, a first layer including an opening therethrough coupled to a first side of the image sensor chip, and a optically transmissive cover coupled to the first layer. The optically transmissive cover, the first layer, and the image sensor chip may form a cavity within the image sensor. The image sensor package may also include at least one electrical contact coupled to a second side of the image sensor chip opposing the first side and an encapsulant coating an entirety of the sidewalls of the image sensor package.
Various embodiments of the present technology may provide methods and systems for position stabilization. The methods and systems for position stabilization may be integrated within an electronic device. An exemplary system may include a driver circuit responsive to a gyro sensor and a feedback signal from an actuator. The driver circuit may be configured to calibrate a gain applied to a drive signal based on the posture of the electronic device.
G02B 27/64 - Systèmes pour donner des images utilisant des éléments optiques pour la stabilisation latérale et angulaire de l'image
G01P 15/18 - Mesure de l'accélération; Mesure de la décélération; Mesure des chocs, c. à d. d'une variation brusque de l'accélération dans plusieurs dimensions
G02B 7/09 - Montures, moyens de réglage ou raccords étanches à la lumière pour éléments optiques pour lentilles avec mécanisme de mise au point ou pour faire varier le grossissement adaptés pour la mise au point automatique ou pour faire varier le grossissement de façon automatique
H02P 7/025 - Dispositions pour réguler ou commander la vitesse ou le couple de moteurs électriques à courant continu les moteurs à courant continu étant du type linéaire les moteurs à courant continu étant du type à bobine mobile, p.ex. moteurs de bobine acoustique
83.
JET IMPINGEMENT COOLING FOR HIGH POWER SEMICONDUCTOR DEVICES
A jet impingement cooling assembly for semiconductor devices includes a heat exchange base having an inlet chamber and an outlet chamber. An inlet connection may be in fluid connection with the inlet chamber, while an outlet connection may be in fluid connection with the outlet chamber. A jet plate may be coupled to the inlet chamber, and a jet pedestal may be formed on the jet plate and having a raised surface with a jet nozzle formed therein.
H01L 23/473 - Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de la température impliquant le transfert de chaleur par des fluides en circulation par une circulation de liquides
H01L 23/38 - Dispositifs de refroidissement utilisant l'effet Peltier
H01L 23/40 - Supports ou moyens de fixation pour les dispositifs de refroidissement ou de chauffage amovibles
84.
METHOD AND SYSTEM OF REDUCING TOTAL HARMONIC DISTORTION OF POWER-FACTOR CORRECTION CONVERTERS
Reducing total harmonic distortion of power-factor correction switching converters. At least one example is a method of operating a power-factor-correction (PFC) converter, the method comprising: charging an inductance of the PFC converter, thereby creating a charge mode; asserting, during the charge mode, an initial-reset signal by a reset circuit implementing voltage-mode control; ending the charge mode a compensated time after assertion of the initial-reset signal, the compensated time inversely proportional to a magnitude of an input voltage of the PFC converter; and then discharging the inductance of the PFC converter.
Image sensor pixels, imaging systems, and methods for constructing image sensor pixels. The image sensor pixel includes a high-light photodetector, a plurality of low-light photodetectors, and a spectral router. The plurality of low-light photodetectors is positioned around the high-light photodetector. The spectral router is positioned above the high-light photodetector and the plurality of low-light photodetectors. The spectral router is configured to route a portion of light received at the spectral router to one or more of the plurality of low-light photodetectors.
H04N 23/55 - Pièces optiques spécialement adaptées aux capteurs d'images électroniques; Leur montage
H04N 25/13 - Agencement de matrices de filtres colorés [CFA]; Mosaïques de filtres caractérisées par les caractéristiques spectrales des éléments filtrants
Implementations of high-power semiconductor device modules are described, including automotive power transistor assemblies for use in power amplifier circuits such as a cascode circuit (200). In some implementations, power amplifier circuit components are provided on separate semiconductor dies (104a, 104b) attached to discrete dual die attach pads (109a, 109b). A separation (g) between the die attach pads (109a, 109b), as well as a through-hole (412), provide sufficient isolation between the dies (104a, 104b) to permit operation of the circuit at high voltages without relying on a thick multi-layer direct bond copper (DBC) isolation structure. In some implementations, higher voltage operation can be supported by a thin multi-layer, resin coated copper DAP (600) in which the top layer is split.
Implementations of high-power semiconductor device modules are described, including automotive power transistor assemblies for use in power amplifier circuits such as a cascode circuit. In some implementations, power amplifier circuit components are provided on separate semiconductor die attached to discrete dual die attach pads. A separation between the die attach pads, as well as a through-hole, provide sufficient isolation between the die to permit operation of the circuit at high voltages without relying on a thick multi-layer direct bond copper (DBC) isolation structure. In some implementations, higher voltage operation can be supported by a thin multi-layer, resin coated copper DAP in which the top layer is split.
H01L 21/56 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
H01L 25/00 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
Integrated circuits on semiconductor substrates and methods for operating integrated circuits on semiconductor substrates. The method includes adjusting a clock signal, generated by a clock circuit, from a first frequency to a second frequency. The method also includes adjusting a digital supply voltage, generated by a digital supply voltage converter, to a predetermined maximum value for the second frequency. The method further includes adjusting a body biasing voltage, generated by a body voltage converter, to a predetermined value for the second frequency. The method also includes determining, by a controller, speed margins based on logic speed measurements from a logic gate delay line. The method further includes decreasing the digital supply voltage until the speed margins are less than a predetermined threshold margin. The clock circuit, the digital supply voltage converter, the body voltage converter, the controller, and the logic gate delay line are implemented on the semiconductor substrate.
G06F 1/3296 - Gestion de l’alimentation, c. à d. passage en mode d’économie d’énergie amorcé par événements Économie d’énergie caractérisée par l'action entreprise par diminution de la tension d’alimentation ou de la tension de fonctionnement
G06F 1/08 - Générateurs d'horloge ayant une fréquence de base modifiable ou programmable
G06F 1/324 - Gestion de l’alimentation, c. à d. passage en mode d’économie d’énergie amorcé par événements Économie d’énergie caractérisée par l'action entreprise par réduction de la fréquence d’horloge
89.
SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF INTEGRATING POWER MODULE WITH INTERPOSER AND OPPOSING SUBSTRATES
A semiconductor device has an interposer including a plurality of conductive vias formed through the interposer. A first semiconductor die is disposed over the interposer. A second semiconductor die is disposed over a first substrate. The first semiconductor die and second semiconductor die are power semiconductor devices. The interposer is disposed over the second semiconductor die opposite the first substrate. A second substrate is disposed over the first semiconductor die opposite the interposer. The first substrate and second substrate provide heat dissipation from the first semiconductor die and second semiconductor die from opposite sides of the semiconductor device. A plurality of first and second interconnect pads is formed in a pattern over the first semiconductor die and second semiconductor die. The second interconnect pads have a different area than the first interconnect pads to aid with alignment when stacking the assembly.
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 23/538 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants
H01L 25/00 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 25/11 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs ayant des conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
H10N 30/50 - Dispositifs piézo-électriques ou électrostrictifs avec une structure empilée ou multicouche
Implementations of a sintering film frame may include a frame including an outer perimeter and an inner perimeter, the inner perimeter defining an opening through the frame; a position detection opening through the frame; at least two alignment holes through the frame; and a frame identifier on a side of the frame.
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
An optical sensor module includes a transparent lid spaced apart from the optical sensor die by a protective dam. The dam can be formed by photosensitive epoxy materials that can be patterned using a photolithography process. The epoxy materials can change between liquid and solid phases during assembly, and then can be fully hardened by curing. The protective dam can be formed as a single layer, or as a multi-layer stack of epoxy materials, in which the layers may have different properties. In some implementations, the epoxy dam acts as a spacer that provides a substantially uniform gap to minimize a tilt angle of the transparent lid with respect to the optical sensor.
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
An image sensor may include an image sensor pixel array. The image sensor pixel array may include active image sensor pixels and non-active image sensor pixels. A line of peripheral image sensor pixels may be coupled to a corresponding interconnect structure via a pixel signal path. The pixel signal path may include portions that overlap pass-through pixels and a keep-out region beyond an edge of the image sensor pixel array. Multiple interconnect structures may connect the image sensor pixel array implemented on a first integrated circuit die to pixel control and readout circuitry on a second integrated circuit die.
Implementations of a sintering film frame (68) may include a frame including an outer perimeter (78) and an inner perimeter (76), the inner perimeter (76) defining an opening (74) through the frame; a position detection opening (80) through the frame; at least two alignment holes (82) through the frame; and a frame identifier (86) on a side of the frame.
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
A transistor configured for higher power can be constructed using multiple transistor dies coupled in parallel. This approach of distributing power and heat over multiple transistor dies can allow each transistor die to be made smaller, which can be helpful in improving yield. This is especially true for emerging technologies, such as silicon carbide (SiC). Power modules for power conversion may require a plurality of these multi-die transistors in a package. A package that accommodates the numerous connections required for a multi-die power module is disclosed. The package utilizes a lead frame to provide a three-dimensional sandwich structure in which multiple dies are positioned between two direct bonded copper (DBC) substrates.
A through-substrate via structure includes a conductive via structure including trench portions at a first major surface of a substrate and extending to a first distance. A first insulating structure is over sidewalls of the trench portions, and a conductive material is over the first insulating structure. A recessed region extends from a second major surface of the substrate to a second distance greater than the first distance and laterally overlaps and interfaces both trench portions. A second insulating structure includes a first portion within the recessed region and a second portion adjacent to the second major surface outside of the recessed region, which includes an outer surface overlapping the second major surface outside of the recessed region. A first conductive region includes a proximate end coupled to the conductive material through openings in the first portion, and an opposite distal that is outward from the second portion.
H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H01L 21/288 - Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes à partir d'un liquide, p.ex. dépôt électrolytique
H01L 21/304 - Traitement mécanique, p.ex. meulage, polissage, coupe
H01L 21/3065 - Gravure par plasma; Gravure au moyen d'ions réactifs
H01L 21/308 - Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique en utilisant des masques
H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p.ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes
H01L 21/56 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
H01L 21/66 - Test ou mesure durant la fabrication ou le traitement
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
H01L 21/768 - Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
H01L 21/78 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
H01L 23/48 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
H01L 23/482 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes formées de couches conductrices inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
H01L 23/544 - Marques appliquées sur le dispositif semi-conducteur, p.ex. marques de repérage, schémas de test
H01L 25/00 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 27/02 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
H01L 27/088 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type comprenant uniquement des composants à effet de champ les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée
H01L 27/14 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit ra
H01L 29/08 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode transportant le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
H01L 23/14 - Supports, p.ex. substrats isolants non amovibles caractérisés par le matériau ou par ses propriétés électriques
A structure includes a semiconductor substrate having a through-substrate via (TSV) extending from a backside of the semiconductor substrate up to an insulator layer disposed on a frontside of the semiconductor substrate. The insulator layer is exposed at a bottom of the TSV and an insulating liner is disposed on a sidewall of the TSV. A spacer layer is disposed conformally on the insulating liner on the sidewall and the bottom of the TSV, and a contact opening is formed through the spacer layer and the insulator layer at the bottom of TSV. The contact opening extends from the bottom of TSV through the insulator layer to a metal pad inside the insulator layer. A layer of the conductive material is deposited in the contact opening and on the sidewall of the TSV forming a vertical interconnection from the backside of the semiconductor substrate to the metal pad.
H01L 23/48 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p.ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes
H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes , ou dans une seule sous-classe de ,
97.
CURVED SEMICONDUCTOR DIE SYSTEMS AND RELATED METHODS
Implementations of a curved die system may include a semiconductor die; and a die curvature support structure including an organic material coupled to a surface of the semiconductor die. The die curvature support structure may induce warpage greater than 200 microns in the surface of the semiconductor die. The die curvature support structure may be configured to induce warpage prior to coupling the semiconductor die to a correspondingly curved substrate.
H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 23/32 - Supports pour maintenir le dispositif complet pendant son fonctionnement, c. à d. éléments porteurs amovibles
H01L 23/538 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants
A network interface controller may include a transceiver coupled to a transmit buffer to send messages via a communications medium and coupled to a receive buffer to store messages received via the communications medium, each of said messages including a source field containing a media access control (MAC) address. A network node may include a network interface controller coupled to the transceiver to implement a network communications protocol for conveying the messages via the communications medium, the network interface controller being configured to dynamically determine a locally unique MAC address for the network interface.
Implementations of semiconductor packages may include: a first substrate having two or more die coupled to a first side, a clip coupled to each of the two or more die on the first substrate and a second substrate having two or more die coupled to a first side of the second substrate. A clip may be coupled to each of the two or more die on the second substrate. The package may include two or more spacers coupled to the first side of the first substrate and a lead frame between the first substrate and the second substrate and a molding compound. A second side of each of the first substrate and the second substrate may be exposed through the molding compound. A perimeter of the first substrate and a perimeter of the second substrate may not fully overlap when coupled through the two or more spacers.
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 23/367 - Refroidissement facilité par la forme du dispositif
H01L 25/00 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
Driver circuits, systems for driving actuators, and imaging systems with actuators. The driver circuit includes a current comparator circuit, a driver, and a replica circuit. The current comparator circuit includes a first node having a first voltage. The current comparator circuit also includes a second node having a second voltage. The driver includes a first terminal responsive to the second voltage. The driver also includes a second terminal connected to a reference voltage. The replica circuit includes a third terminal connected to the first node. The replica circuit also includes a fourth terminal connected to the second terminal of the driver. The replica circuit also includes a fifth terminal connected to the first terminal of the driver.
H03F 1/30 - Modifications des amplificateurs pour réduire l'influence des variations de la température ou de la tension d'alimentation
G03B 13/36 - Systèmes de mise au point automatique
G05F 3/24 - Régulation de la tension ou du courant là où la tension ou le courant sont continus utilisant des dispositifs non commandés à caractéristiques non linéaires consistant en des dispositifs à semi-conducteurs en utilisant des combinaisons diode-transistor dans lesquelles les transistors sont uniquement du type à effet de champ
