- Sections
- H - Électricité
- H10F - Dispositifs à semi-conducteurs inorganiques sensibles au rayonnement infrarouge, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire
- H10F 77/16 - Structures des matériaux, p. ex. structures cristallines, structures en film ou orientations des plans cristallins
Détention brevets de la classe H10F 77/16
Brevets de cette classe: 17
Historique des publications depuis 10 ans
|
0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
2
|
2
|
7
|
| 2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 | 2025 |
Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
|
Cette classe
|
|---|---|---|
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 44095 |
3 |
| Mitsubishi Electric Corporation | 46618 |
1 |
| Board of Regents, The University of Texas System | 5891 |
1 |
| Asahi Kasei Microdevices Corporation | 547 |
1 |
| Institut National de La Recherche Scientifique | 256 |
1 |
| SemiNuclear, Inc. | 8 |
1 |
| Socovar, Limited Partnership | 12 |
1 |
| Tohoku University | 2824 |
1 |
| Universita degli Studi di Milano-bicocca | 154 |
1 |
| Exeger Operations AB | 75 |
1 |
| W&wsens Devices, Inc. | 23 |
1 |
| Hoon Kim | 5 |
1 |
| Cubicpv Inc. | 123 |
1 |
| Orbray Co., Ltd. | 39 |
1 |
| Hoon Kim | 1 |
1 |
| Autres propriétaires | 0 |