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  • H - Électricité
  • H10F - Dispositifs à semi-conducteurs inorganiques sensibles au rayonnement infrarouge, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire
  • H10F 39/10 - Dispositifs intégrés

Détention brevets de la classe H10F 39/10

Brevets de cette classe: 121

Historique des publications depuis 10 ans

2
1
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18
15
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30
2017 2018 2019 2020 2021 2022 2023 2024 2025 2026

Propriétaires principaux

Proprétaire
Total
Cette classe
Canon Inc.
42633
8
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.
47734
6
Samsung Electronics Co., Ltd.
155224
4
Sony Semiconductor Solutions Corporation
11342
4
Boe Technology Group Co., Ltd.
43343
3
Toshiba Corporation
12687
2
FUJIFILM Corporation
30327
2
Hamamatsu Photonics K.K.
4620
2
Purdue Research Foundation
3874
2
Suteng Innovation Technology Co., Ltd
419
2
Marvell Asia PTE, Ltd.
6340
2
Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd.
3749
2
Canon Kabushiki Kaisha
7258
2
Shenzhen Adaps Photonics Technology Co., Ltd.
35
2
Beijing Seetrum Technology Co., Ltd.
47
2
Ams-osram AG
345
2
Taiwan-Asia Semiconductor Corporation
97
2
Ntt, Inc.
3779
2
LG Electronics Inc.
75274
1
Intel Corporation
46737
1
Autres propriétaires 68

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