- Sections
- H - Électricité
- H10D - Dispositifs électriques à semi-conducteurs inorganiques
- H10D 84/84 - Combinaison de transistors IGFET à mode d’enrichissement et de transistors IGFET à mode d’appauvrissement
Détention brevets de la classe H10D 84/84
Brevets de cette classe: 27
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 48629 |
5 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11873 |
4 |
| United Microelectronics Corp. | 4504 |
3 |
| Nexperia B.V. | 545 |
2 |
| Power Integrations, Inc. | 569 |
2 |
| Nexperia Technology (Shanghai) Ltd. | 50 |
2 |
| Fuji Electric Co., Ltd. | 5521 |
1 |
| STMicroelectronics International N.V. | 4219 |
1 |
| Vanguard International Semiconductor Corporation | 519 |
1 |
| Virginia Tech Intellectual Properties, Inc. | 962 |
1 |
| DB HiTek Co., Ltd. | 310 |
1 |
| Infineon Technologies Dresden GmbH & Co. KG | 125 |
1 |
| Cambridge GaN Devices Limited | 57 |
1 |
| Invention and Collaboration Laboratory Pte. Ltd. | 59 |
1 |
| Wise-integration | 17 |
1 |
| Autres propriétaires | 0 |