- Sections
- H - Électricité
- H10D - Dispositifs électriques à semi-conducteurs inorganiques
- H10D 84/82 - Dispositifs intégrés formés dans ou sur des substrats semi-conducteurs qui comprennent uniquement des couches semi-conductrices, p. ex. sur des plaquettes de Si ou sur des plaquettes de GaAs-sur-Si caractérisés par l'intégration d'au moins un composant couvert par les groupes ou , p. ex. l'intégration de transistors IGFET de composants à effet de champ uniquement
Détention brevets de la classe H10D 84/82
Brevets de cette classe: 16
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 43258 |
2 |
| Cambridge GaN Devices Limited | 50 |
2 |
| Innoscience (Suzhou) Technology Co., ltd. | 171 |
2 |
| The Regents of the University of California | 20059 |
1 |
| Robert Bosch GmbH | 42813 |
1 |
| Infineon Technologies Austria AG | 2166 |
1 |
| DYNAX Semiconductor, Inc. | 70 |
1 |
| GLOBALFOUNDRIES U.S. Inc. | 6420 |
1 |
| Peking University | 1319 |
1 |
| Psemi Corporation | 1028 |
1 |
| Synopsys, Inc. | 25 |
1 |
| Hitachi Energy Ltd. | 2280 |
1 |
| Research 42 LLC | 2 |
1 |
| Autres propriétaires | 0 |