- Sections
- H - Électricité
- H10D - Dispositifs électriques à semi-conducteurs inorganiques
- H10D 84/60 - Dispositifs intégrés formés dans ou sur des substrats semi-conducteurs qui comprennent uniquement des couches semi-conductrices, p. ex. sur des plaquettes de Si ou sur des plaquettes de GaAs-sur-Si caractérisés par l'intégration d'au moins un composant couvert par les groupes ou , p. ex. l'intégration de transistors BJT
Détention brevets de la classe H10D 84/60
Brevets de cette classe: 21
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Fuji Electric Co., Ltd. | 5134 |
8 |
| Mitsubishi Electric Corporation | 46037 |
3 |
| Toshiba Corporation | 12334 |
1 |
| Texas Instruments Incorporated | 19468 |
1 |
| Renesas Electronics Corporation | 6014 |
1 |
| Murata Manufacturing Co., Ltd. | 24503 |
1 |
| Rohm Co., Ltd. | 6444 |
1 |
| GLOBALFOUNDRIES U.S. Inc. | 6430 |
1 |
| Nexperia B.V. | 423 |
1 |
| Sanken Electric Co., Ltd. | 453 |
1 |
| Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation | 1962 |
1 |
| Infineon Technologies Dresden GmbH & Co. KG | 149 |
1 |
| Autres propriétaires | 0 |