- Sections
- H - Électricité
- H10B - Dispositifs de mémoire électronique
- H10B 63/00 - Dispositifs de mémoire par changement de résistance, p. ex. dispositifs RAM résistifs [ReRAM]
Détention brevets de la classe H10B 63/00
Brevets de cette classe: 1601
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 46182 |
330 |
| SK Hynix Inc. | 11690 |
162 |
| Micron Technology, Inc. | 26591 |
159 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 149198 |
131 |
| International Business Machines Corporation | 61747 |
111 |
| Kioxia Corporation | 10455 |
53 |
| United Microelectronics Corp. | 4311 |
48 |
| TetraMem Inc. | 148 |
32 |
| Commissariat à l'énergie atomique et aux energies alternatives | 10954 |
31 |
| Winbond Electronics Corp. | 1329 |
20 |
| Intel Corporation | 46471 |
19 |
| GLOBALFOUNDRIES Singapore Pte. Ltd. | 822 |
19 |
| Monolithic 3D Inc. | 318 |
17 |
| Xiamen Industrial Technology Research Institute Co., Ltd. | 38 |
16 |
| STMicroelectronics (Crolles 2) SAS | 646 |
14 |
| Macronix International Co., Ltd. | 2535 |
13 |
| Zeno Semiconductor, Inc. | 236 |
12 |
| STMicroelectronics (Rousset) SAS | 955 |
10 |
| GLOBALFOUNDRIES U.S. Inc. | 6419 |
10 |
| Changxin Memory Technologies, Inc. | 4928 |
10 |
| Autres propriétaires | 384 |