- Sections
- H - Électricité
- H10B - Dispositifs de mémoire électronique
- H10B 51/30 - Dispositifs de RAM ferro-électrique [FeRAM] comprenant des transistors ferro-électriques de mémoire caractérisés par la région noyau de mémoire
Détention brevets de la classe H10B 51/30
Brevets de cette classe: 598
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 43015 |
302 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 147003 |
68 |
| Micron Technology, Inc. | 26251 |
29 |
| Sandisk Technologies Inc. | 4823 |
16 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11448 |
15 |
| SK Hynix Inc. | 11421 |
13 |
| Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences | 1384 |
9 |
| IUCF-HYU (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University) | 1406 |
9 |
| Intel Corporation | 47051 |
8 |
| Renesas Electronics Corporation | 6001 |
8 |
| Versum Materials US, LLC | 647 |
8 |
| IMEC VZW | 1648 |
7 |
| Sunrise Memory Corporation | 213 |
7 |
| Kioxia Corporation | 10323 |
7 |
| International Business Machines Corporation | 61344 |
6 |
| Tokyo Electron Limited | 12795 |
5 |
| Huawei Technologies Co., Ltd. | 113191 |
5 |
| Ferroelectric Memory GmbH | 73 |
5 |
| The Regents of the University of Michigan | 4718 |
4 |
| Japan Science and Technology Agency | 1318 |
4 |
| Autres propriétaires | 63 |