- Sections
- H - Électricité
- H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
- H01L 47/00 - Dispositifs à résistance négative à effet de volume, p.ex. dispositifs à effet Gunn; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
Détention brevets de la classe H01L 47/00
Brevets de cette classe: 772
Historique des publications depuis 10 ans
38
|
46
|
26
|
24
|
34
|
16
|
1
|
4
|
2
|
0
|
2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 | 2025 |
Propriétaires principaux
Proprétaire |
Total
|
Cette classe
|
---|---|---|
Micron Technology, Inc. | 26169 |
78 |
Samsung Electronics Co., Ltd. | 143555 |
71 |
Macronix International Co., Ltd. | 2571 |
58 |
Kioxia Corporation | 10262 |
53 |
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 41951 |
42 |
SK Hynix Inc. | 11176 |
26 |
Sandisk Technologies Inc. | 4822 |
24 |
GLOBALFOUNDRIES U.S. Inc. | 6436 |
24 |
Intermolecular, Inc. | 287 |
24 |
Panasonic Semiconductor Solutions Co., Ltd. | 832 |
24 |
International Business Machines Corporation | 60806 |
22 |
Ovonyx Memory Technology, LLC | 415 |
20 |
Hewlett Packard Enterprise Development LP | 10690 |
13 |
Crossbar, Inc. | 224 |
13 |
Intel Corporation | 46664 |
11 |
Hynix Semiconductor Inc. | 1942 |
10 |
Gula Consulting Limited Liability Company | 316 |
10 |
Winbond Electronics Corp. | 1264 |
10 |
GLOBALFOUNDRIES Singapore Pte. Ltd. | 796 |
10 |
Sandisk Technologies LLC | 1451 |
9 |
Autres propriétaires | 220 |