- Sections
- H - Électricité
- H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
- H01L 31/119 - Dispositifs sensibles au rayonnement d'ondes très courtes, p.ex. rayons X, rayons gamma ou rayonnement corpusculaire caractérisés par un fonctionnement par effet de champ, p.ex. détecteurs du type MIS
Détention brevets de la classe H01L 31/119
Brevets de cette classe: 619
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 43258 |
70 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 147501 |
52 |
| GLOBALFOUNDRIES U.S. Inc. | 6420 |
36 |
| Micron Technology, Inc. | 26183 |
27 |
| Semiconductor Components Industries, L.L.C. | 5269 |
24 |
| Texas Instruments Incorporated | 19455 |
20 |
| Renesas Electronics Corporation | 5987 |
18 |
| SK Hynix Inc. | 11469 |
14 |
| International Business Machines Corporation | 61433 |
12 |
| Infineon Technologies AG | 8250 |
12 |
| Macronix International Co., Ltd. | 2551 |
11 |
| Nanya Technology Corporation | 2528 |
10 |
| Kioxia Corporation | 10387 |
10 |
| Toshiba Corporation | 12472 |
9 |
| Infineon Technologies Austria AG | 2166 |
9 |
| Hynix Semiconductor Inc. | 1867 |
8 |
| United Microelectronics Corp. | 4244 |
8 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11475 |
7 |
| MIE Fujitsu Semiconductor Limited | 115 |
7 |
| Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation | 1761 |
7 |
| Autres propriétaires | 248 |