• Sections
  • H - Électricité
  • H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
  • H01L 27/11592 - Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs les électrodes de grille comprenant une couche utilisée pour ses propriétés de mémoire ferro-électrique, p.ex. semi-conducteur métal-ferro-électrique [MFS] ou semi-conducteur d’isolation métal-ferro-électrique-métal [MFMIS] caractérisées par la région de circuit périphérique

Détention brevets de la classe H01L 27/11592

Brevets de cette classe: 68

Historique des publications depuis 10 ans

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2016 2017 2018 2019 2020 2021 2022 2023 2024 2025

Propriétaires principaux

Proprétaire
Total
Cette classe
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.
44095
19
Micron Technology, Inc.
26279
11
Samsung Electronics Co., Ltd.
148077
5
Sandisk Technologies Inc.
4885
4
Intel Corporation
46921
3
Renesas Electronics Corporation
5964
3
Sandisk Technologies LLC
1437
2
IUCF-HYU (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University)
1429
2
Sunrise Memory Corporation
212
2
Seoul National University R&db Foundation
3702
2
Ferroelectric Memory GmbH
73
2
Kioxia Corporation
10441
2
Kepler Computing Inc.
312
2
Sony Corporation
30901
1
SK Hynix Inc.
11536
1
Macronix International Co., Ltd.
2547
1
GLOBALFOUNDRIES U.S. Inc.
6409
1
IMEC VZW
1669
1
Sony Semiconductor Solutions Corporation
10714
1
Unist(ulsan National Institute of Science and Technology)
482
1
Autres propriétaires 2