- Sections
- H - Électricité
- H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
- H01L 27/11592 - Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs les électrodes de grille comprenant une couche utilisée pour ses propriétés de mémoire ferro-électrique, p.ex. semi-conducteur métal-ferro-électrique [MFS] ou semi-conducteur d’isolation métal-ferro-électrique-métal [MFMIS] caractérisées par la région de circuit périphérique
Détention brevets de la classe H01L 27/11592
Brevets de cette classe: 68
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
Proprétaire |
Total
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Cette classe
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Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 44095 |
19 |
Micron Technology, Inc. | 26279 |
11 |
Samsung Electronics Co., Ltd. | 148077 |
5 |
Sandisk Technologies Inc. | 4885 |
4 |
Intel Corporation | 46921 |
3 |
Renesas Electronics Corporation | 5964 |
3 |
Sandisk Technologies LLC | 1437 |
2 |
IUCF-HYU (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University) | 1429 |
2 |
Sunrise Memory Corporation | 212 |
2 |
Seoul National University R&db Foundation | 3702 |
2 |
Ferroelectric Memory GmbH | 73 |
2 |
Kioxia Corporation | 10441 |
2 |
Kepler Computing Inc. | 312 |
2 |
Sony Corporation | 30901 |
1 |
SK Hynix Inc. | 11536 |
1 |
Macronix International Co., Ltd. | 2547 |
1 |
GLOBALFOUNDRIES U.S. Inc. | 6409 |
1 |
IMEC VZW | 1669 |
1 |
Sony Semiconductor Solutions Corporation | 10714 |
1 |
Unist(ulsan National Institute of Science and Technology) | 482 |
1 |
Autres propriétaires | 2 |